近日，芯塔电子与中科海奥签署战略合作协议，双方将加深在光伏发电、储能及微电网系统、节能服务等领域的功率器件供应、应用开发、技术创新等多方面合作。
source:芯塔电子
据介绍，芯塔电子已经批量生产的第二代SiC MOSFET在器件优值因子和栅极抗串扰性能方面实现了业界领先，即将发布的第三代SiC MOSFET在元胞层面实现了重大技术创新及整体性能提升。截至目前，芯塔电子SiC产品已经在包括中科海奥在内的数十家光储头部客户批量导入。
中科海奥致力于电动汽车能源产品和节能环保电源产品的产业化，与中科海奥合作，有助于芯塔电子SiC器件产品加速进入新能源汽车以及光储充等领域。
资料显示，芯塔电子成立于2020年10月，是一家专注于提供第三代半导体功率器件和模块整体解决方案的芯片公司，主要产品包括SiC SBD、SiC MOSFET、GaN HEMT等第三代半导体功率器件和模块、驱动等。
SiC器件方面，2023年9月，芯塔电子发布自主研发的1700V/5Ω SiC MOSFET产品。该产品针对高端汽车级应用开发，击穿电压达到2300V。据悉，芯塔电子1700V/5Ω SiC MOSFET的高耐压简化了应用电路，提升了应用方案可靠性，降低了系统成本。
值得一提的是，同在2023年9月，芯塔电子参与编写的SiC半导体外延晶片全球首个SEMI国际标准——《4H-SiC同质外延片标准》正式发布。
2023年12月，芯塔电子自主研发的120OV/80mΩ TO-2563-7封装SiC MOSFET器件获得第三方权威检测机构（广电计量）全套AEC-Q101车规级可靠性认证。包括之前通过测试认证的650V/20A T0-252-3封装SiC SBD产品在内，芯塔电子已有两款核心产品通过此项认证。AEC-Q101车规级可靠性认证通过，有助于芯塔电子拓展新能源车用市场。目前，芯塔电子1200V/80mΩ SiC MOSFET在头部OBC企业通过测试，已进入批量导入阶段。
成立至今，芯塔电子共完成两轮融资，分别为2022年6月的数千万人民币天使轮和2023年6月的近亿元人民币Pre-A轮融资，投资方包括财通资本、禾创致远、丛蓉投资、纳川资本、方德信基金、芜湖高新投等机构，其中，禾创致远已参与芯塔电子全部融资轮次。（集邦化合物半导体Zac整理）
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