鸿镓科技专注于氮化镓（GaN）研发技术，提供节能省电的功率半导体组件与终端产品。深耕布局日本GaN快充市场、为中国台湾地区首家打入要求严格的日商供应链公司; 研发技术也获得电源大厂环隆科技所采用。鸿镓科技提供的65W GaN快充，通过了日本PSE认证。鸿镓科技亦积极布局半导体领域，研发新材料，最新抗静电技术已打入世界级封测大厂，2024年中便有望渐收成效。
鸿镓科技携手日本电信集团子公司NTT-AT，将GaN快充导入日本市场贩售，为中国台湾地区第一家GaN厂商与日本大厂合作; 双方持续扩大合作领域，开发新款100W GaN快充，估计2024年问世。未来将会与手机大厂一同开发，将GaN功率元件导入旗下品牌快充、积极跨进国际市场。
在半导体技术部分，鸿镓亦积极抢进。随着AI、电动车、低轨卫星应用，半导体元件全面导入10nm以下先进制程，然而在封装过程中，将遇到严重静电效应，生产良率降低等问题。鸿镓科技推出全新领先全球耐高温300°C、具高耐磨特性的抗静电技术，不仅可应用于GaN封装制程良率提升，同时为先进半导体产业市场提供高效率、高可靠度的抗静电解决方案。
鸿镓抗静电镀膜于半导体封装模具及治具，实现可平面、立体镀膜成果（图来源：鸿镓科技）
鸿镓科技指出，公司研发团队长期致力半导体新材料研发。最新一代抗静电技术，可于金属材料表面形成一层致密、耐高温的抗静电层，于表面生成高耐磨且寿命长的纳米级镀膜，精准控制表面电阻值在10?到10? Ω区间，有效防止静电的累积。该技术不仅在生产过程中提供可靠的防御，还能确保半导体设备在使用中不会受到静电的影响，提高产品可靠度，以及延长设备使用寿命。
鸿镓进一步分析，此抗静电技术除特性优于现有抗静电技术外，且不受尺寸限制，因此成本相较于现有抗静电镀膜技术具竞争力，并可广泛应用于半导体制造的各制程，包括制造、封装和测试等环节; 目前已送样封测大厂测试中，预估今年在先进镀膜业绩，便会迅速看到成长。
来源：台湾中时新闻网
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