12月29日，扬杰科技公开“隔离栅碳化硅晶体管及其制备方法”、“一种碳化硅半导体器件及其制备方法”、“一种提升SIC功率器件短路鲁棒性的结构及制造方法”等多项碳化硅（SiC）器件相关专利，申请日期均为2023年10月27日。
“隔离栅碳化硅晶体管及其制备方法”专利
天眼查资料显示，12月29日，扬杰科技公开一项“隔离栅碳化硅晶体管及其制备方法”专利，申请公布号为CN117316982A。
该专利摘要显示，隔离栅的碳化硅晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域。包括从下而上依次连接的碳化硅衬底，碳化硅漂移层和正面金属层；所述碳化硅漂移层的顶面设有向下延伸的PW区；所述PW区的顶面设有向下延伸的NP区；所述NP区内设有向下延伸的PP区；所述碳化硅漂移层的顶面依次设有向上伸入正面金属层内的栅氧层和Poly层；所述碳化硅漂移层的顶面设有包裹所述栅氧层和Poly层的氧化物隔离层，所述氧化物隔离层底端分别与碳化硅漂移层和NP区连接；所述氧化物隔离层的侧部设有与PP区连接的欧姆接触金属层。本发明一定程度上可提高器件的开关性能，降低开关损耗。
“一种碳化硅半导体器件及其制备方法”专利
天眼查资料显示，12月29日，扬杰科技公开一项“一种碳化硅半导体器件及其制备方法”专利，申请公布号为CN117316985A。
该专利摘要显示，一种碳化硅半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。包括从下而上依次设置的碳化硅衬底和碳化硅漂移层，所述碳化硅漂移层的顶面设有若干间隔向下延伸的沟槽；还包括：PW区，位于所述沟槽处；NP区，从所述沟槽的顶部向下延伸，包裹于所述PW区内；PP区，设置在所述沟槽处，位于所述NP区的下方；栅氧层，设置在相邻沟槽之间，位于所述碳化硅漂移层的顶面；Poly层，设置在所述栅氧层的顶面；隔离层，设置在所述Poly层上，并从侧部向下延伸至NP区；本发明一定程度上减小了N 漂移层所带来的电阻，从而可降低体二极管的导通电阻，减少其在续流过程中产生的损耗。
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“一种碳化硅二极管器件及其制备方法”专利
天眼查资料显示，12月29日，扬杰科技公开一项“一种碳化硅二极管器件及其制备方法”专利，申请公布号为CN117316986A。
该专利摘要显示，一种碳化硅二极管器件及其制备方法，涉及半导体器件。包括从下而上依次设置的碳化硅衬底、碳化硅外延层、正面电极金属；所述碳化硅外延层的顶面设有若干向下延伸的P区沟槽，所述P区沟槽内设有P型区；若干所述P型区之间设有N区沟槽；所述P型区内部设有欧姆接触金属；所述欧姆接触金属和碳化硅外延层上设有肖特基结接触金属；所述肖特基结接触金属的上方设有正面电极金属；所述碳化硅衬底和碳化硅外延层的导电类型均为N型。本发明可以通过形成两层不同掺杂浓度的外延层，来降低器件外延层的导通电阻，进一步提高器件通流能力。
“一种提升SIC功率器件短路鲁棒性的结构及制造方法”专利
天眼查资料显示，12月29日，扬杰科技公开一项“一种提升SIC功率器件短路鲁棒性的结构及制造方法”专利，申请公布号为CN117316983A。
该专利摘要显示，一种提升SIC功率器件短路鲁棒性的结构及制造方法，涉及功率半导体技术领域。包括以下步骤：步骤001，提供一种N型重掺杂类型的衬底，即为N+型SiC半导体衬底，掺杂浓度为360~400um，掺杂浓度为1e19 cm 2；N+型衬底具有两个表面，分为正面与背面，在正面形成一层N型缓冲层，厚度为0.8~1um，掺杂浓度为1e18 cm 2；在N型缓冲层覆盖N型轻掺杂类型的漂移层，即为N 型漂移层，厚度为5~15um，掺杂浓度为5e15~1e16 cm 2,背面形成金属电极层；步骤002，在漂移层的表面通过光刻掩膜，进行P型掺杂形成P Well阱区；本发明制作工艺简单，效果显著，可以应用于新型碳化硅MOSFET功率器件的制造。
“一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法”专利
天眼查资料显示，12月29日，扬杰科技公开一项“一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法”专利，申请公布号为CN117317017A。
该专利摘要显示，一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。包括从下而上依次设置的碳化硅衬底和碳化硅漂移层；所述碳化硅漂移层的顶面设有若干间隔向下延伸的PW区；所述PW区的顶面设有向下延伸的NP区和PP区一；相邻所述PW区之间设有源级处沟槽，所述源级处沟槽的槽底设有向下延伸的PP区二；所述碳化硅漂移层顶面的端部和中部分别设有从下而上依次设置的栅氧层、Poly层和隔离层；所述隔离层从侧部向下延伸与NP区连接；本发明通过在碳化硅MOSFET中形成沟槽体二极管，使得体二极管导通从N型漂移层开始，提高了体二极管的导通能力，并且有效避免了由于电子和空穴的复合现象而导致的晶格缺陷蔓延，从而减小双极退化现象引起的器件性能退化。
“一种新型源区沟槽碳化硅二极管器件及其制备方法”专利
天眼查资料显示，12月29日，扬杰科技公开一项“一种新型源区沟槽碳化硅二极管器件及其制备方法”专利，申请公布号为CN117316984A。
该专利摘要显示，一种新型源区沟槽碳化硅二极管器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。包括从下而上依次设置的背面加厚金属、背面欧姆接触金属、碳化硅衬底、碳化硅外延层和N型注入区；所述N型注入区的顶面设有伸入碳化硅外延层的终端沟槽和若干间隔设置的源区沟槽；所述源区沟槽的槽底设有向下延伸的P型注入区；所述终端沟槽的顶面设有伸入碳化硅外延层的P型主结和若干间隔设置的P型分压环；所述碳化硅外延层上设有覆盖P型主和若干P型分压环的场氧层；本发明在不增加单颗芯片面积和工艺复杂程度的基础上，进一步降低了器件的正向导通压降。
近年来，扬杰科技大力布局第三代半导体产业。2022年6月，扬杰科技以2.95亿元收购中电科四十八所持有的楚微半导体40％股权，标的公司主要布局中高端功率器件。2023年2月，扬杰科技又以2.94亿元收购楚微半导体30％股权。
2023年6月，扬杰科技宣布与东南大学签署合作协议，组建“东南大学—扬杰科技宽禁带功率器件技术联合研发中心”。与此同时，扬杰科技计划与扬州市邗江区签署《6英寸碳化硅晶圆项目进园框架合同》，拟投资新建6英寸SiC晶圆生产线项目，总投资约10亿元，该项目分两期实施建设，项目全部建成投产后，形成6英寸SiC晶圆产能5000片/月。（集邦化合物半导体整理）
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