12月26日，据日经中文网消息，富士电机将在未来3年内（即2024～2026年度）向半导体领域投资2000亿日元（折合人民币约100亿元）。该项投资的重点将放在用于纯电动汽车（EV）电力控制等相关功率半导体器件上，并计划在日本境内工厂新建碳化硅(SiC)功率半导体的生产线，提高产能。
据悉，富士电机是一家以大型电气机器为主产品的日本重电机制造商，旗下主要有半导体、工业、能源以及食品销售等四大核心业务。
由于SiC与传统的硅（Si）相比，其禁带宽度、导热率、以及电子迁移速率都有着一定优势，且在车载功率器件领域表现优异。得益于此，SiC功率器件正逐步在纯电动汽车中普及开来。诸多车企以及相应的汽车零部件供应商也将目光投向SiC，纷纷开展动作，富士机电紧跟潮流，目前已推出了两款SiC产品。
source:富士电机
值得一提的是，在富士电机的当前五年中期经营计划中，公司在半导体行业的投资以每年400亿日元（折合人民币约20亿元）的速度稳步增长。而在即将到来的2024年至2026年的新三年中期计划中，这一投资额将显著提升至每年700亿日元（折合人民币约35亿元），加速其在该领域的投资。
此次投资的具体项目是：在松本工厂（位于长野县松本市）新建一条“光刻前工程”生产线。这产线预计将在2027年之后投入运营，生产使用8英寸大型晶圆的SiC功率半导体。此外，富士电机还计划从2024年起在津轻工厂（位于青森县五所川原市）量产6英寸SiC功率半导体。通过扩大晶圆的尺寸，单片晶圆上可切割的芯片数量将增加，有望进一步提升生产效率。（集邦化合物半导体Morty整理）
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