12月26日,据日经中文网消息,富士电机将在未来3年内(即2024~2026年度)向半导体领域投资2000亿日元(折合人民币约100亿元)。该项投资的重点将放在用于纯电动汽车(EV)电力控制等相关功率半导体器件上,并计划在日本境内工厂新建碳化硅(SiC)功率半导体的生产线,提高产能。
据悉,富士电机是一家以大型电气机器为主产品的日本重电机制造商,旗下主要有半导体、工业、能源以及食品销售等四大核心业务。
由于SiC与传统的硅(Si)相比,其禁带宽度、导热率、以及电子迁移速率都有着一定优势,且在车载功率器件领域表现优异。得益于此,SiC功率器件正逐步在纯电动汽车中普及开来。诸多车企以及相应的汽车零部件供应商也将目光投向SiC,纷纷开展动作,富士机电紧跟潮流,目前已推出了两款SiC产品。
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source:富士电机
值得一提的是,在富士电机的当前五年中期经营计划中,公司在半导体行业的投资以每年400亿日元(折合人民币约20亿元)的速度稳步增长。而在即将到来的2024年至2026年的新三年中期计划中,这一投资额将显著提升至每年700亿日元(折合人民币约35亿元),加速其在该领域的投资。
此次投资的具体项目是:在松本工厂(位于长野县松本市)新建一条“光刻前工程”生产线。这产线预计将在2027年之后投入运营,生产使用8英寸大型晶圆的SiC功率半导体。此外,富士电机还计划从2024年起在津轻工厂(位于青森县五所川原市)量产6英寸SiC功率半导体。通过扩大晶圆的尺寸,单片晶圆上可切割的芯片数量将增加,有望进一步提升生产效率。(集邦化合物半导体Morty整理)
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