据外媒消息,近日,韩国APROSEMICON公司(首席执行官Jonghyun Lim)将把其光州总部迁至庆北龟尾,并投资600亿韩元(折合人民币约3.3亿元)建设以氮化镓 (GaN) 为基础的功率半导体生产设施。
为此,该公司于12日与庆尚北道和龟尾市签署了谅解备忘录。Aprosemicon将在龟尾生产GaN功率半导体外延片,并优先供应给蓄电池充放电设备使用。
外延片是GaN半导体的关键材料,而韩国的GaN外延片目前主要依靠进口。为了打破这一局面,APRO Semicon除了设计GaN半导体外,还于2021年引进了韩国首台 MOCVD(8 英寸GaN功率半导体外延片生产设备),并建立了外延片生产体系。该公司表示,其生产的GaN功率半导体符合半导体合同制造商(代工厂)所要求的质量、均匀性和产量,并确保了价格竞争力。
据公开资料显示,APRO Semicon成立于2020 年,前身是蓄电池设备公司KOSDAQ和上市公司APRO 的半导体部门。现今它已在该领域取得一些成就,为全球下一代化合物半导体提供核心材料和零件,还可为电动汽车、电动交通和家用电器所需的GaN功率半导体和射频GaN半导体提供从设计到制造的一体化解决方案。
与硅(Si)基半导体相比,GaN半导体具有高电压和高耐热性,作为下一代功率半导体材料备受关注。APROSEMICON计划通过此次投资,从德国半导体设备制造商爱思强(AIXTRON)购买两台MOCVD设备,到2025年将GaN外延片的年生产能力扩大到20000片。
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图片来源:拍信网正版图库
GaN作为第三代半导体材料的代表之一,在车载领域的应用频次正在逐渐提升,尤其是在电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)中。GaN技术因其高效率、高频率操作能力和小尺寸等优势,在车载电力电子系统中展现出良好的潜力。
文:集邦化合物半导体Morty编译
据外媒消息,近日,韩国APROSEMICON公司(首席执行官Jonghyun Lim)将把其光州总部迁至庆北龟尾,并投资600亿韩元(折合人民币约3.3亿元)建设以氮化镓 (GaN) 为基础的功率半导体生产设施。
为此,该公司于12日与庆尚北道和龟尾市签署了谅解备忘录。Aprosemicon将在龟尾生产GaN功率半导体外延片,并优先供应给蓄电池充放电设备使用。
外延片是GaN半导体的关键材料,而韩国的GaN外延片目前主要依靠进口。为了打破这一局面,APRO Semicon除了设计GaN半导体外,还于2021年引进了韩国首台 MOCVD(8 英寸GaN功率半导体外延片生产设备),并建立了外延片生产体系。该公司表示,其生产的GaN功率半导体符合半导体合同制造商(代工厂)所要求的质量、均匀性和产量,并确保了价格竞争力。
据公开资料显示,APRO Semicon成立于2020 年,前身是蓄电池设备公司KOSDAQ和上市公司APRO 的半导体部门。现今它已在该领域取得一些成就,为全球下一代化合物半导体提供核心材料和零件,还可为电动汽车、电动交通和家用电器所需的GaN功率半导体和射频GaN半导体提供从设计到制造的一体化解决方案。
与硅(Si)基半导体相比,GaN半导体具有高电压和高耐热性,作为下一代功率半导体材料备受关注。APROSEMICON计划通过此次投资,从德国半导体设备制造商爱思强(AIXTRON)购买两台MOCVD设备,到2025年将GaN外延片的年生产能力扩大到20000片。
GaN作为第三代半导体材料的代表之一,在车载领域的应用频次正在逐渐提升,尤其是在电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)中。GaN技术因其高效率、高频率操作能力和小尺寸等优势,在车载电力电子系统中展现出良好的潜力。(文:集邦化合物半导体Morty编译)
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