据外媒消息，近日，韩国APROSEMICON公司（首席执行官Jonghyun Lim）将把其光州总部迁至庆北龟尾，并投资600亿韩元（折合人民币约3.3亿元）建设以氮化镓 (GaN) 为基础的功率半导体生产设施。
为此，该公司于12日与庆尚北道和龟尾市签署了谅解备忘录。Aprosemicon将在龟尾生产GaN功率半导体外延片，并优先供应给蓄电池充放电设备使用。
外延片是GaN半导体的关键材料，而韩国的GaN外延片目前主要依靠进口。为了打破这一局面，APRO Semicon除了设计GaN半导体外，还于2021年引进了韩国首台 MOCVD（8 英寸GaN功率半导体外延片生产设备），并建立了外延片生产体系。该公司表示，其生产的GaN功率半导体符合半导体合同制造商（代工厂）所要求的质量、均匀性和产量，并确保了价格竞争力。
据公开资料显示，APRO Semicon成立于2020 年，前身是蓄电池设备公司KOSDAQ和上市公司APRO 的半导体部门。现今它已在该领域取得一些成就，为全球下一代化合物半导体提供核心材料和零件，还可为电动汽车、电动交通和家用电器所需的GaN功率半导体和射频GaN半导体提供从设计到制造的一体化解决方案。
与硅（Si）基半导体相比，GaN半导体具有高电压和高耐热性，作为下一代功率半导体材料备受关注。APROSEMICON计划通过此次投资，从德国半导体设备制造商爱思强（AIXTRON）购买两台MOCVD设备，到2025年将GaN外延片的年生产能力扩大到20000片。
图片来源：拍信网正版图库
GaN作为第三代半导体材料的代表之一，在车载领域的应用频次正在逐渐提升，尤其是在电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）中。GaN技术因其高效率、高频率操作能力和小尺寸等优势，在车载电力电子系统中展现出良好的潜力。
文：集邦化合物半导体Morty编译
据外媒消息，近日，韩国APROSEMICON公司（首席执行官Jonghyun Lim）将把其光州总部迁至庆北龟尾，并投资600亿韩元（折合人民币约3.3亿元）建设以氮化镓 (GaN) 为基础的功率半导体生产设施。
为此，该公司于12日与庆尚北道和龟尾市签署了谅解备忘录。Aprosemicon将在龟尾生产GaN功率半导体外延片，并优先供应给蓄电池充放电设备使用。
外延片是GaN半导体的关键材料，而韩国的GaN外延片目前主要依靠进口。为了打破这一局面，APRO Semicon除了设计GaN半导体外，还于2021年引进了韩国首台 MOCVD（8 英寸GaN功率半导体外延片生产设备），并建立了外延片生产体系。该公司表示，其生产的GaN功率半导体符合半导体合同制造商（代工厂）所要求的质量、均匀性和产量，并确保了价格竞争力。
据公开资料显示，APRO Semicon成立于2020 年，前身是蓄电池设备公司KOSDAQ和上市公司APRO 的半导体部门。现今它已在该领域取得一些成就，为全球下一代化合物半导体提供核心材料和零件，还可为电动汽车、电动交通和家用电器所需的GaN功率半导体和射频GaN半导体提供从设计到制造的一体化解决方案。
与硅（Si）基半导体相比，GaN半导体具有高电压和高耐热性，作为下一代功率半导体材料备受关注。APROSEMICON计划通过此次投资，从德国半导体设备制造商爱思强（AIXTRON）购买两台MOCVD设备，到2025年将GaN外延片的年生产能力扩大到20000片。
GaN作为第三代半导体材料的代表之一，在车载领域的应用频次正在逐渐提升，尤其是在电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）中。GaN技术因其高效率、高频率操作能力和小尺寸等优势，在车载电力电子系统中展现出良好的潜力。（文：集邦化合物半导体Morty编译）
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