12月21日，晶盛机电在回答投资者提问时表示，公司8英寸碳化硅（SiC）衬底片已实现批量生产，量产晶片的核心位错达到行业领先水平。
据悉，晶盛机电自2017年开始SiC晶体生长设备和工艺研发，经过几年沉淀，今年已经迎来收获期。今年2月4日，晶盛机电成功发布6英寸双片式SiC外延设备，该SiC外延设备在外延产能、运营成本等方面已取得国际领先优势，与单片设备相比，新设备单台产能增加70%，单片运营成本降幅可达30%以上。
11月4日，晶盛机电“年产25万片6英寸、5万片8英寸碳化硅衬底片项目”正式签约启动，此次签约项目总投资达21.2亿元。启动仪式上，晶盛机电董事长曹建伟博士表示，本次项目启动，是晶盛机电创新增长的重要方向。该项目目前正在产能爬坡中，供货合同也正在持续增加。
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12月5日，晶盛机电披露最新调研纪要称，今年11月，公司正式进入了6英寸SiC衬底项目的量产阶段，而8英寸衬底片处于小批量试制阶段。时隔半个月，晶盛机电披露8英寸SiC衬底已实现批量生产，公司再次取得较大进展。
尽管目前导电型SiC衬底产品仍然以6英寸为主，8英寸尚未普及，但进军8英寸是行业发展大趋势。对于SiC衬底厂商而言，实现8英寸批量生产意义重大，有利于企业在未来市场竞争中占据先发优势，国内外众多头部厂商正在大力布局8英寸。
目前，天科合达、天岳先进、湖南三安、南砂晶圆、烁科晶体、同光股份、科友半导体等国内厂商均正在推进8英寸SiC衬底开发，Wolfspeed、意法半导体等全球功率半导体巨头也已加快8英寸SiC衬底研发步伐。未来，8英寸SiC衬底有望为各大企业创造更多的业绩增量。
财报方面，2023年前三季度晶盛机电营收约134.62亿元，同比增长80.39%；归属于上市公司股东的净利润约35.14亿元，同比增长74.94%；公司研发费用8.6亿元，同比增长68.83%。目前，公司业绩增长较快，能够将更多资金投入研发和扩产，形成良性循环。（集邦化合物半导体Zac整理）
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