12月19日，晶盛机电在投资者互动平台表示，公司碳化硅（SiC）生长设备为自研自用，对外销售SiC外延设备。SiC衬底及外延片利润情况受其市场价格、综合成本等因素影响，随着公司长晶及加工技术、成本控制的不断优化，预期未来利润将因此受益。
source:晶盛机电
在SiC设备方面，今年2月4日，晶盛机电成功发布6英寸双片式SiC外延设备，标志着晶盛机电在第三代半导体领域取得重大突破。
据介绍，晶盛机电用时两年开展6英寸双片式SiC外延设备的研发、测试与验证，在外延产能、运营成本等方面已取得国际领先优势，与单片设备相比，新设备单台产能增加70%，单片运营成本降幅可达30%以上。
在SiC材料方面，11月4日，晶盛机电“年产25万片6英寸、5万片8英寸碳化硅衬底片项目”正式签约启动。
据悉，此次签约项目总投资达21.2亿元。启动仪式上，晶盛机电董事长曹建伟博士表示，本次项目启动，是晶盛机电创新增长的重要方向。
伴随着SiC衬底项目正式启动，晶盛机电多年深耕也迎来收获期。11月初，晶盛机电表示，公司自2017年开始SiC晶体生长设备和工艺研发，相继成功开发6英寸、8英寸SiC晶体和衬底片，是国内为数不多能供应8英寸衬底片的企业。目前，公司已建设了6-8英寸SiC晶体生长、切片、抛光中试线，6英寸衬底片已通过多家下游企业验证，正处于快速上量阶段，8英寸衬底片处于小批量试制阶段。12月5日，晶盛机电披露最新调研纪要称，公司正式进入了6英寸SiC衬底项目的量产阶段。
近年来，晶盛机电SiC材料和相关设备的研发处于稳步推进当中，助力公司业绩持续增长。晶盛机电2023年第三季度财报显示，2023年前三季度公司营收约134.62亿元，同比增长80.39%；归属于上市公司股东的净利润约35.14亿元，同比增长74.94%；公司研发费用8.6亿元，同比增长68.83%。
截至2023年9月30日，公司未完成设备合同287.50亿元，其中未完成半导体设备合同33.03亿元（以上合同金额均含增值税）。
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