因搭载高压平台的电动汽车在补能、续航等方面的表现出色，可以大幅提高客户的使用体验，大有成为主流之势。而SiC MOSFET在高压车载领域的良好表现，受到市场的追捧，新规格SiC MOSFET和其衍生品也在不断出新。就SiC MOSFET领域来看，又有两家企业有了新动态。
Power Integrations推出具有快速短路保护功能且适配62mm SiC MOSFET和IGBT模块的门极驱动器
PI近日推出全新系列的即插即用型门极驱动器，新驱动器适配额定耐压在1700V以内的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模块和硅IGBT模块，具有增强的保护功能，可确保安全可靠的工作。SCALE-2 2SP0230T2x0双通道门极驱动器可在不到2微秒的时间内部署短路保护功能，保护紧凑型SiC MOSFET免受过电流的损坏。新驱动器还具有高级有源钳位(AAC)功能，可保护开关在关断期间免受过压影响，从而实现更高的直流母线工作电压。
据介绍，2SP0230T2x0门极驱动器基于Power Integrations成熟的SCALE-2技术，集成度更高、尺寸更小、功能更强、系统可靠性更高，是轨道交通辅助变换器、电动汽车非车载型充电装置和电网静止同步补偿器(STATCOM)稳压器等应用的理想之选。Power Integrations的紧凑型2SP0230T2x0外形尺寸为134x62mm，可提供1700V加强绝缘，可驱动耐压在1700V以内的功率模块；这比通常限制在1200V的传统驱动器高出500V。
南瑞半导体自主研发的1200V/40mΩ SiC MOSFET通过车规级可靠性认证
近日，南瑞半导体自主研发的1200V/40mΩ SiC MOSFET器件（NCM40S12T4K2）顺利通过AEC-Q101车规级可靠性认证。
据了解，AEC-Q作为国际通用的车规级电子元器件测试规范，目前已成为车用元器件质量与可靠性的标志。该认证包括各类环境应力、可靠性、耐久性、寿命测试等，通过AEC-Q认证代表着器件具有优异品质和高可靠性，更是打开车载供应链的敲门砖和试金石。
据悉，南瑞半导体成立于2019年，布局功率半导体产业发展。专注电网领域核心器件自主可控，提供IGBT芯片研制、模块设计、封装测试、应用分析等全业务流程产品和服务。
据集邦化合物半导体不完全统计，目前仅有以下企业的SiC功率器件通过AEC-Q101车规级可靠性认证：
现今，南瑞半导体跻身通过AEC-Q101车规级可靠性认证企业之列，将助力国内车载SiC功率器件发展。（文：集邦化合物半导体Morty整理）
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