12月13日，中电科半导体材料有限公司（下文简称“中电材料”）官微发文称，近日，中电材料下属国盛电子大尺寸硅外延材料产业化项目第一枚碳化硅（SiC）外延产品诞生，标志着中电材料SiC产业化建设迎来了新阶段。
国盛电子表示，首枚SiC外延产品诞生，预示着后续新品全尺寸检测评估，向客户提供验证样片工作正式启动，也意味着国盛电子已步入第三代半导体产业发展的快车道。
据悉，国盛电子一直致力于高性能半导体外延材料的研发和生产服务，公司主营硅基、SiC基外延片，产品被广泛用于集成电路芯片和半导体分立器件。
近两年来，中电材料在第三代半导体外延领域频频出招。
去年4月，中电材料孙公司南京盛鑫半导体材料有限公司（下文简称“盛鑫半导体”）举行大尺寸硅外延材料产业化项目开工仪式。
今年6月，盛鑫半导体大尺寸硅外延材料产业化项目实现首批设备入场。
据中电材料消息，该项目是南京市集成电路产业链建设的地标性项目，将建设外延主厂房、晶体加工厂房、综合试验楼、动力站等相关建筑，主要从事大尺寸硅外延片和第三代半导体外延片生产。
同年11月，中电材料南京外延材料产业基地宣布正式投产运行。中电材料南京外延材料产业基地项目于2021年9月27日签约落户南京江宁开发区综合保税区，占地面积约10万平方米。
该项目分两期实施，其中一期投资19.3亿元，将建设成立第三代化合物外延材料、8-12英寸硅外延材料产业基地等。项目达产后，将形成8-12英寸硅外延片456万片/年，6-8英寸化合物外延片12.6万片/年的生产能力。（文：集邦化合物半导体Morty整理）
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