12月12日，大连创锐光谱科技有限公司（下文简称“创锐光谱”）官微发文称，公司近日在碳化硅（SiC）衬底晶圆位错缺陷的无损光学检测技术方面取得突破性进展，并将同步推出SiC衬底晶圆位错无损检测专用设备:SIC-SUB-9900。
据介绍，该设备基于瞬态激发和散射光谱原理，采用大面积光学成像，实现了SiC衬底晶圆位错缺陷的高速、精准、非接触式的无损光学检测。结合AI识别，可对衬底晶圆中的BPD、TSD、TED等缺陷实现精准的识别和分类（以目前行业中广泛应用的碱液腐蚀法的结果为参照，识别准确率达到90%以上）。
与现有的XRT(X光形貌分析)技术相比，该检测技术具有操作简单、检测速度快、性价比高等显著优势。与非线性光学检测中的点扫描模式相比，该设备中采用的大面积成像的方式，极大地提高了检测速度：以6吋晶圆样品为例，最快检测时间小于17分钟！
SiC衬底晶圆的BPD、TSD、TED等位错缺陷的数量和分布是反映衬底质量的重要参数。衬底中的位错缺陷可进一步延伸到外延层中，对外延层的质量及最终的芯片良率产生巨大的影响。因此对衬底中的位错缺陷进行精准的检测、识别和统计是衬底晶圆生产中极为重要的环节。
据悉，创锐光谱创立于2016年，基于自主技术，深耕科学仪器和半导体材料检测两大应用领域，已实现从基础研究到工业生产的全产业链赋能。
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今年3月，创锐光谱SiC晶圆质量大面积成像系统SiC-MAPPING532达到持续稳定运行标准，正式下线发运行业知名客户。该设备为国际首台套基于瞬态光谱技术的第三代半导体缺陷检测设备，不仅实现了相关技术的全自主国产化替代，在各种技术指标上也全面超越进口同类产品。
5月，创锐光谱宣布完成数千万元天使轮融资，由君联资本独家投资。本轮融资将用于精密科学仪器和半导体检测光谱新技术的开发和多款检测设备规模化量产。
除了创锐光谱，近期国产半导体检测设备有关融资、推新和产品交付的新闻也是接连不断：
11月，中导光电的纳米级图形晶圆缺陷光学检测设备（NanoPro-150）实现了再次交付。
不久前，半导体光学量检设备厂商盖泽科技宣布完成了新一轮千万级别融资。
此外，半导体前道量测设备厂商优睿谱，近日成功推出SiC晶圆电阻率量测设备SICV200，并且同时发布两家客户。
以上这些国内半导体检测设备厂商的消息频增，从侧面体现出国内半导体市场对国产半导体检测设备的重视程度和认可度在逐步提高。由于半导体检测设备的作用几乎贯穿终端产品的整个生产流程，且设备成本占比不低，但长期以来外国进口，这对于快速增长的国内半导体市场有着诸多不便。无论是出于国际局势的考量还是国际大厂的产能限制，半导体检测设备本土化是一个必然的趋势。
来源：创锐光谱、集邦化合物半导体整理
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