12月8日上午，吉盛微（武汉）新材料科技有限公司（以下简称吉盛微）武汉碳化硅（SiC）制造基地启用仪式在武汉经开区综保区工业园举行。
资料显示，吉盛微成立于2023年3月，为盛吉盛（宁波）半导体科技有限公司（以下简称盛吉盛半导体）在武汉投资成立，公司主要从事半导体及泛半导体设备用CVD SiC原材料及 SiC部件、SiC Epi Wafer、CVD SiC设备的研发及生产制造。
盛吉盛半导体成立于2018年3月，是中芯国际牵头，联合韩国Triplecores、芯空间、芯鑫租赁等股东共同发起成立的半导体设备和关键零部件研发、生产和服务企业，公司致力于推进关键半导体设备的国产化，核心业务包括半导体设备研发生产、半导体智能化与服务、半导体设备升级优化三大板块。
截至目前，盛吉盛已完成5轮融资，投资方包括定航资本、中青芯鑫、中芯熙诚、轻舟资本、融晗私募基金、中芯聚源、上海新阳等。其中，中芯聚源还曾投资SiC长晶设备企业晶升装备以及氮化镓（GaN）器件企业晶通半导体等企业。
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据悉，今年2月，盛吉盛半导体武汉SiC项目签约落地武汉经开区，总投资约15亿元，3月，吉盛微在武汉经开区注册成立，6月启动生产线设计施工，8月入驻试生产，项目预计2027年达产，可实现年销售收入10亿元。
据介绍，目前，吉盛微已经完成了刻蚀、扩散、外延、快速热处理等多个工艺的零部件、耗材开发工作，部分产品填补了国内空白，初步具备稳定的生产供货能力。
值得一提的是，8月25日，长飞先进与武汉东湖高新区签约半导体合作项目，该项目总投资预计超过200亿元，项目建设内容包括第三代半导体外延、晶圆制造、封测等产线，建设完毕后将形成年产36万片6英寸SiC衬底及外延、年产6100万个功率器件模块的能力，该项目预计2025年建设完成，或将成为国内最大的SiC功率半导体制造基地。（集邦化合物半导体Zac整理）
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