12月4日，时代电气在投资者互动平台表示，公司碳化硅（SiC）芯片生产线技术能力提升建设项目，项目建成达产后，将现有平面栅SiC MOSFET芯片技术能力提升到满足沟槽栅SiC MOSFET芯片研发能力，将现有4英寸SiC芯片线提升到6英寸，将现有4英寸SiC芯片线10000片/年的能力提升到6英寸SiC芯片线25000片/年。项目预计年底可以完成。
资料显示，时代电气围绕技术与市场，形成了“基础器件+装置与系统+整机与工程”的完整产业链结构，产业涉及轨道交通、新能源发电、电力电子器件、汽车电驱、工业电气、海工装备等领域。
根据时代电气在去年4月12日发布的公告，时代电气控股子公司中车时代半导体拟投资46160万元人民币（最终投资金额以实际投资金额为准）实施上述SiC芯片生产线技术能力提升建设项目，通过本项目实施，形成面向新能源汽车、轨道交通方向的SiC芯片量产生产线。
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SiC MOSFET可用于新能源汽车主逆变器、DC-DC转换器、车载充电器等部件中，伴随着新能源汽车产业迅猛发展，SiC MOSFET正在加速上车，市场需求日益增长，这对SiC器件厂商的SiC芯片产能提出了越来越高的要求，投资扩产成为各大厂商的共识。
同时，降本增效也成为SiC企业关注的焦点。随着时代电气SiC芯片产能提升，形成规模效应后有助于单片芯片成本下降，从4英寸升级为6英寸也是降本举措，因为衬底尺寸较大，单位衬底可以制造芯片的数量就较多，单片芯片成本就会有一定程度的降低。
时代电气在上述公告中称，公司SiC产品在地铁、新能源汽车等市场均已实现应用示范。而在今年7月，时代电气在互动平台表示，公司针对800V充电桩系统推出的SiC MOSFET芯片产品，目前处于应用推广阶段。SiC电驱产品C-Power 220s，系统效率最高可达94%，目前正在整车厂送样验证阶段。时代电气SiC芯片升级项目的建成达产，一定程度上将为该公司相关产品的大规模推广应用做好产能准备。
投建项目短期来看会增加公司的资本支出，但从长远来看对公司的业务布局和经营业绩均会有积极作用，实施SiC芯片升级项目，时代电气提升产能的同时，有望降低成本，以便更好的迎合新能源汽车领域快速发展大趋势，获得更多与车企合作机会。（集邦化合物半导体Zac整理）
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