安世半导体推出首款SiC MOSFET
11月30日，Nexperia宣布推出其首款SiC MOSFET，并发布两款采用3引脚TO-247封装的1200 V分立器件，RDS(on)分别为40 mΩ 和80 mΩ。
NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia SiC MOSFET产品组合中首批发布的产品，随后Nexperia将持续扩大产品阵容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封装和表面贴装封装选择。此次推出的两款器件可用性高，可满足电动汽车(EV)充电桩、不间断电源(UPS)以及太阳能和储能系统(ESS)逆变器等汽车和工业应用对高性能SiC MOSFET的需求。
Nexperia高级总监兼SiC产品部主管Katrin Feurle表示：“Nexperia和三菱电机希望这两款首发产品可以激发更多的创新，推动市场涌现更多功率器件供应商。Nexperia现可提供SiC MOSFET器件，这些器件的多个参数性能均超越同类产品，例如极高的RDS(on)温度稳定性、较低的体二极管压降、严格的阈值电压规格以及极其均衡的栅极电荷比，能够安全可靠地防止寄生导通。这是我们与三菱电机承诺合作生产高质量SiC MOSFET的开篇之作。毫无疑问，在未来几年里，我们将共同推动SiC器件性能的发展。”
来源：安世半导体
Transphorm推出顶部散热型TOLT封装FET器件
近日，Transphorm推出了一款TOLT封装形式的SuperGaN FET。
source：Transphorm
新产品TP65H070G4RS晶体管的导通电阻为72毫欧，为业界首个采用JEDEC标准（MO-332）TOLT封装的顶部散热型表面贴装GaN器件。
针对不适合使用传统底部散热型表贴器件的系统，TOLT封装为客户提供了更为灵活的热管理方案。采用TOLT封装，不仅热性能可媲美广泛使用的、热性能稳定的TO-247插孔封装，还具有基于SMD的印刷电路板组装（PCBA）实现高效制造流程的额外优势。
TP65H070G4RS 采用了 Transphorm 高性能 650V 常闭型 d-mode GaN平台，该平台具有更低的栅极电荷、输出电容、交叉损耗、反向恢复电荷和动态电阻，从而效率优于硅、SiC和其他GaN产品。SuperGaN 平台的优势与 TOLT 封装更好的散热性及系统组装灵活性相结合，为寻求推出具有更高功率密度和效率、总体功率系统成本更低的电源系统客户提供了高性能、高可靠性的GaN解决方案。
来源：Transphorm
瞻芯电子推出1700V SiC MOSFET
11月27日，瞻芯电子开发的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET产品(IV2Q171R0D7Z)通过了车规级可靠性认证(AEC-Q101), 导通电阻标称1Ω，主要用于各类辅助电源，在新能源汽车、光储充等领域有广泛需要，现已通过多家知名客户评估测试，逐步批量交付应用。
IV2Q171R0D7Z是瞻芯电子的第二代SiC MOSFET中1700V平台的产品，驱动电压(Vgs)为15~18V，室温下导通电流为6.3A。该产品采用车规级TO263-7贴片封装，对比插件封装，体积更小，阻抗更低，安装更简便，且有开尔文栅极引脚。因此该产品特别适合高电压、小电流、低损耗的应用场景。
来源：瞻芯电子
平创半导体推出1200V/1700V PC62封装SiC模块
11月28日，平创半导体推出了应用于新能源变流器的PC62封装SiC模块，涵盖1700V/1200V系列产品。
source:平创半导体
据介绍，PC62封装SiC MOSFET半桥模块采用平创半导体自研碳化硅芯片，模块在VGS（th）、RDS（on）漂移和栅氧可靠性方面得到了明显改善。此外，芯片对称结构布局、Clip互连工艺大幅提升了模块载流能力，降低了寄生电感。
据悉，平创半导体是一家专注于功率半导体器件及创新解决方案的国家高新技术企业，公司主要产品为650V-3300V SiC二极管和1200V/1700V SiC MOSFET器件与模块、硅基光伏二极管与模块 (TO装、R6封装、定制化光伏模块)，小信号器件、中低压MOS、高性能工业控制及车规级功率器件与模块(650V/1200V/1700VIGBT、FRD系列)，相关产品与技术已被广泛应用于新能源汽车、高端白色家电、充电桩、光伏、储能等领域，服务客户包含华润微电子、晶科能源、国家电网、松下电器、隆鑫通用等明星企业。
来源：平创半导体
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