11月26日，据法国产业杂志新工厂（UsineNouvelle）报道，意法半导体（STMicroelectronics）继与美商格罗方德在法国东南部Crolles的75亿欧元（约588亿人民币）晶圆厂计划后，为平衡集团在意法两国布署，亦将于意大利西西里岛Catane投资50亿欧元（约392亿人民币），新建一座碳化硅（SiC）超级半导体晶圆厂。该晶圆厂将专门生产SiC芯片，为电动车关键技术并具强大成长潜力。
报道称，意法半导体为维持其竞争力，拟自2024年起转型升级至8英寸晶圆，并结合Soitec的SmartSiC技术，以提高效能，同时减少碳排放。同时，该公司积极提升产能、掌握内部制造并与中国厂商三安光电合作，以期将SiC芯片相关营收由今年预期的12亿美元（约85亿人民币）在2030年前提升至50亿美元（约356亿人民币）。
其中，意法半导体与三安光电强强联手曾在行业内引发广泛关注。今年6月7日，意法半导体和三安光电共同宣布，双方已签署协议，将在重庆建立一个新的8英寸SiC器件合资制造厂，投资总额预计达32亿美元（约228亿人民币）。
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为了保障这项规模庞大的投资计划顺利实施，三安光电表示将利用自研SiC衬底工艺，单独建造和运营一个新的8英寸SiC衬底制造厂，以满足上述合资厂的衬底需求，这有助于合作方意法半导体加速向8英寸进军。
根据TrendForce集邦咨询分析，目前SiC产业以6英寸衬底为主，占据高达80%的市场份额，而8英寸衬底仅占1%，向更大的8英寸衬底过渡是进一步降低SiC器件成本的关键策略。
8英寸SiC衬底比6英寸同类衬底具有明显的成本优势，6英寸向8英寸升级是行业发展大趋势，国内烁科晶体、晶盛机电、南砂晶圆、同光股份、科友半导体、乾晶半导体等龙头企业都在推进8英寸SiC衬底的开发，从占总生产成本45%左右的衬底上实现降本后，SiC器件有望进一步推广普及，反哺各大厂商，形成良性循环。
不仅仅是国内厂商，国际半导体巨头英飞凌（Infineon Technologies)、安森美（Onsemi）等也都在积极抢食市场大蛋糕。其中，英飞凌已经在工厂制备了第一批8英寸晶圆机械样品，很快将它们转化为电子样品，并计划在2030年之前大规模量产应用，安森美、罗姆等国际器件大厂都制定了8英寸SiC晶圆的发展规划。
目前，头部厂商占据了超过90%的市场份额，竞争激烈，一旦步伐放缓，就可能让追赶者有可乘之机。根据TrendForce集邦咨询数据显示，2022年SiC功率半导体主要厂商的市场份额占比TOP5分别是意法半导体（36.5%）、英飞凌（17.9%）、Wolfspeed（16.3%）、安森美（11.6%）、罗姆（8.1%），剩余厂商仅占9.6%。
意法半导体此次在意大利投资建厂，不仅能够平衡集团在意法两国布署，也有助于稳固自身在SiC功率器件领域的优势。（集邦化合物半导体Zac整理）
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