牛津仪器 (Oxford Instruments) 宣布旗下用于GaN HEMT 器件生产的等离子原子层沉积（ALD）和原子层蚀刻（ALE）设备获得多家日本代工厂的大量订单。
这些设备将支持高增长的GaN电力电子和射频市场，其中消费类快速充电和数据中心应用是GaN电力电子应用的最前沿，而 5G/6G 通信应用则是射频市场的前沿应用。
Oxford Instruments的ALD技术可提供高通量、低损伤等离子处理，同时提高薄膜和界面质量，主要面向GaN HEMT器件制造商。
Oxford Instruments用于p-GaN HEMT的ALE解决方案已通过生产认证，并将低损伤蚀刻特性和此前与LayTec AG合作的端点检测技术Etchpoint所拥有的高准确性相结合。
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Etchpoint可以从标准高速蚀刻处理自动切换到低损伤ALE，以提高的器件可靠性。此外，ALE 还能以 ±0.5 nm 的高精度实现具有临界目标深度的部分AlGaN凹槽蚀刻，从而实现下一代GaN MISHEMT E-mode器件功能。这些技术集中在一个自动处理装置上，在真空的环境下实现多腔处理，从而有可能提高器件性能，并以更低的成本每天生产更多优质晶圆。
“日本主要电力电子和射频市场的GaN HEMT 产量大幅提升，我们通过扩大现有和新客户的安装基础而从中受益。看到针对 GaN 表面等离子体预处理而优化的 ALD 解决方案以及带有Etchpoint技术的ALE在日本和全球领先的GaN HEMT制造商中得到应用，我们感到非常兴奋。公司完整的GaN HEMT解决方案旨在处理客户的复杂设备难题，并提高设备产量、可靠性和正常运行时间，”Oxford Instruments GaN产品经理Aileen O’Mahony说。
GaN作为第三代半导体材料的代表之一，在电力电子和射频通信领域有着优异的表现。据TrendForce集邦咨询预估，全球GaN功率元件市场规模将从2022年的1.8亿美金成长到2026年的13.3亿美金，复合增长率高达65%。
ALD设备有助于实现高性能、高可靠性和高效率的GaN功率器件，推动GaN技术在电力电子、射频通信等领域的广泛应用。
目前，中国拥有最大的ALD设备市场，其次是韩国、北美、日本、欧洲。而全球ALD设备市场由外资企业占据大头，如Veeco Instruments、Encapsulix、CVD Equipment、Oxford Instruments、ASM International等国外龙头大厂。
反观国内，目前有微导纳米、中微半导体、北方华创、理想晶延半导体等公司正在研发和生产ALD设备。这些国内厂商在ALD设备领域取得了一定的进展，但与国际领先企业相比，仍存在一定的差距。
面对功率半导体下游市场的强劲需求，国内企业想要降低扩产风险，考虑到地缘政治影响，设备国产化势在必行，且国内市场广阔，设备技术升级潜在动力强劲。（集邦化合物半导体Rick编译）
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