11月23日，据塔斯社报道，俄罗斯RusKlimat贸易和生产控股集团新闻处发布消息称，一家中国公司计划投资25亿卢布（约合人民币2亿元）在俄罗斯弗拉基米尔州启动第三代功率半导体的批量生产，该项目最早将于2024年开始，分两个阶段实施。
消息指出，该项目计划使用碳化硅（SiC）技术生产功率半导体，未来将使用氮化镓（GaN）技术。该项目将生产单一功率元件（晶体管和二极管），以及面向俄罗斯和其他国家市场的专用功率组件（模块）。
据悉，新企业将位于弗拉基米尔经济特区的“Rusklimat IKSEl”技术园区内。值得注意的是，该项目涉及在科技园区内建立多个生产设施，以实现高科技产品的全周期生产。该项目的启动和投产，有望为俄罗斯SiC产业发展注入强劲动力。
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目前，全球SiC相关企业和产能大多数分布在中国、日韩、西欧、北美等国家和地区，俄罗斯仍然是一片蓝海市场，但并不代表没有企业布局俄罗斯市场。
去年10月据《生意人报》报道，中国公司Henan Si&C CO.LTD（SICAH）与俄沃罗涅日州政府举行了几轮谈判，讨论在该州境内落实SiC生产厂建设项目的细节问题。据该报报道，该公司可能对生产平台投资约4900万美元，第一阶段生产能力应达到4.2万吨，计划将70%的产品出口到中国和东南亚国家。
假设在俄罗斯生产SiC相关产品，然后出口到中国市场，将会有非常可期的前景。随着新能源汽车、光伏、储能、充电桩等下游市场的快速爆发，中国的SiC功率元件市场规模正在迅速扩大。据TrendForce集邦咨询统计，按2022年应用结构来看，光伏储能为中国SiC市场最大应用场景，占比约38.9%，接续为汽车、工业以及充电桩等。汽车市场作为未来发展主轴，即将超越光伏储能应用，其份额至2026年有望攀升至60.1%。
在此情况下，中国已有约70家厂商切入SiC功率元件业务，市场竞争日趋激烈，投资和开拓俄罗斯市场不失为明智之举。（集邦化合物半导体Zac整理）
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