11月22日，日本芯片材料制造商Resonac宣布，将在美国硅谷设立一个先进半导体封装和材料研发中心。Resonac已开始就新研发中心开展设备引进等工作，计划在无尘室和设备准备就绪后于2025年开始运营。
同日Resonac宣布作为日本首家战略材料制造合作伙伴加入位于美国得克萨斯州的半导体相关制造商联盟“得克萨斯电子研究所”（TIE），后者的成员还包括AMD、美光科技、英特尔、应用材料等公司。
资料显示，Resonac前身为昭和电工（Showa Denko），是一家先进的薄膜等封装材料制造商。
作为一家先进半导体材料厂商，发力以SiC、GaN为代表的第三代半导体材料是其必由之路。现实也确实如此，Resonac正聚焦SiC材料。
事实上，Resonac早在2010年就开始研发SiC外延技术，并在2015年推出第一代SiC外延技术，随后在2019年推出每平方厘米SiC外延膜缺陷低于0.1个的第二代SiC外延技术。在这近十年时间内，Resonac深耕技术研发，积蓄力量，等待爆发。
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近年来，Resonac加快了研发脚步，也迎来了收获时刻。从2022年3月以6英寸线进行第二代SiC外延片量产出货，到Resonac从2022年9月起提供8英寸SiC外延片样品，再到2023年3月开始提供第三代SiC外延片样品，Resonac都是在短短半年时间实现了技术迭代升级，进展迅速。
值得一提的是，Resonac的SiC材料业务，只提供衬底与外延产品，最终零件由客户制造，因此Resonac和英飞凌、罗姆等半导体巨头更多的是协同而非竞争关系，携手合作顺理成章。
今年初，英飞凌扩大与Resonac公司的合作。根据新协议，Resonac将为英飞凌提供用于生产SiC半导体的SiC材料，预计占其未来十年需求量的两位数份额。作为合作的一部分，英飞凌将向Resonac提供与SiC材料技术相关的知识产权，这在一定程度上有助于Resonac提升SiC外延片技术和产品质量。
或许是受供货需求的刺激，Resonac推出了规模庞大的扩产计划。Resonac将使SiC外延片的产量在2026年之前增至月产5万片（按直径6英寸换算），增至今年初产能的约5倍，到2025年还将开始量产8英寸SiC衬底。
如果说Resonac之前的客户大多集中在欧亚，那么此次在硅谷设立研发中心，则吹响了大规模进军美国市场的号角。（集邦化合物半导体Zac整理）
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