作为全球GaN赛道重量级选手，英诺赛科的一举一动自然都是行业关注的焦点。
11月20日，英诺赛科（苏州）全球研发中心正式启用，未来将打造成为新型宽禁带半导体材料与器件研发基地，同时开展大规模量产化工程问题研究，全面提升氮化镓材料与器件的整体竞争力。
诚如英诺赛科（苏州）科技股份有限公司董事长骆薇薇所言，这并不是一栋普通的大楼，因为这栋研发大楼将承载多项GaN关键技术研究，大概率将成为国内GaN材料和器件重要研发基地之一。
启用仪式现场，英诺赛科还举行了“8英寸硅基GaN芯片生产线建设项目第二阶段产能扩展”项目（即三期银团）贷款签约仪式，该项目融资贷款金额最高达13亿元。
比起新研发中心的启用，或许业内人士更关注英诺赛科这笔贷款签约，因为这关系到英诺赛科未来多年的扩张计划。
技术与产能双双腾飞
自2015年12月成立以来，英诺赛科不断加快扩张的脚步，出货量屡屡创下新记录。
公开数据显示，截至2023年Q1，英诺赛科GaN芯片累计出货量突破1.5亿颗；截至今年8月，英诺赛科8英寸硅基GaN芯片出货量已成功突破3亿颗；而到目前为止，英诺赛科累计出货量已高达4亿颗。出货量一路走高的背后，是英诺赛科不断攀升的产能，英诺赛科拥有全球最大规模的8英寸硅基GaN晶圆生产基地，当前产能达15000片/月。
英诺赛科直言已做到GaN器件累积出货数量、市场份额、量产交付能力等多项全球第一，与此同时，其正在持续拓展业务边界和GaN应用领域。
英诺赛科GaN业务始于消费电子，战果颇丰，目前已与包括OPPO、vivo、联想、中兴、荣耀等在内的一线消费电子品牌达成合作。在快充领域，头部客户基本已采用英诺赛科产品，拿下众多头部客户，意味着英诺赛科已经在业内站稳脚跟。
英诺赛科曾多次在对外报告中表示，电动汽车、光伏及储能等应用将支撑GaN呈现指数级增长，基于这一预判，英诺赛科致力于深入研究和推动GaN在更多领域的应用和普及。
在电动汽车领域，英诺赛科针对电动汽车市场开发的车规级产品已经获得激光雷达客户采用。
在光伏领域，英诺赛科研发出基于直流架构的光储系统，在转化环节使用GaN将效率提升5%，同时在尺寸上减小30%，这样更利于系统集成。其中的150V产品是英诺赛科的明星产品，与传统的硅Mos相比，它具有导通损耗低、开关损耗低、无反向恢复损耗等优点。
此外，相比于业界6英寸平台，英诺赛科基于8英寸硅基GaN平台的单片晶圆器件可以增加80%，这就意味着公司在单颗产品上，成本具备30%的优势，降本增效同样有助于英诺赛科提升产品竞争力。
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不断夯实研发与产能根基
尽管英诺赛科已经确立了自身在GaN行业的地位，但在各大头部厂商竞争日趋激烈的情况下，唯有不断提升本公司技术壁垒，才有更大可能立于不败之地，这也是英诺赛科全球研发中心启用的价值。
该研究中心无论是开展大尺寸硅衬底上GaN基异质结构中的应力控制规律与杂质缺陷研究，还是开展8英寸硅衬底上GaN基功率电子器件的产业化关键制备工艺及封装技术的研究，都是在夯实英诺赛科赖以发展壮大的技术基础。
今年以来，英诺赛科GaN业务持续向新能源汽车、光伏等高功率市场延伸，也是顺应行业发展大趋势。在低碳、绿色潮流推动下，GaN市场需求将呈现逐年增长的态势。根据TrendForce集邦咨询《2023 全球GaN功率半导体市场分析报告》显示，全球GaN功率元件市场规模将从2022年的1.8亿美金成长到2026年的13.3亿美金，复合增长率高达65%。
GaN市场需求增势固然能够让厂商受益，却也对产能提出了更高要求。企业可以从两方面积极应对，一是加速GaN器件技术迭代，二是扩充产能。
目前看来，英诺赛科全球研发中心将开展的硅衬底上GaN基功率电子器件的可靠性提升技术及功率集成技术研究，或许正是从性能方面助力GaN往高压高功率方向布局。
研发先进技术的同时，产能建设亦不容忽视，竞争对手们近年来纷纷大手笔投资扩产，英诺赛科也不甘落后，这13亿元贷款将在一定程度上保障英诺赛科在未来数年的扩产规划。
小结
全球研发中心的全新启用，是英诺赛科技术升级之路的一块里程碑，未来预期将有更多先进的技术诞生于此，从而助推整个GaN产业步入黄金时期。而以本次贷款为起点，英诺赛科将开启新一轮产能建设周期，进而有望促进国内GaN行业更加蓬勃发展。（文：集邦化合物半导体Zac）