近日，据天科合达介绍，今年下半年，公司营收首次突破10亿元，截至今年10月份，公司营收已经较去年全年翻一番。公司现已累计服务国内外客户500余家，累计销售导电型碳化硅（SiC）衬底材料60余万片。
资料显示，天科合达成立于2006年9月，总部设在北京市大兴区，是国内首家专业从事第三代半导体碳化硅衬底研发、生产和销售的国家级高新技术企业，产业涵盖碳化硅单晶炉制造、碳化硅单晶生长原料制备、碳化硅单晶衬底制备和碳化硅外延制备。
据悉，自2017年以来，碳化硅单晶衬底材料作为第三代半导体领域重要材料，市场需求迎来了大爆发。2021年，碳化硅半导体材料被正式写入国家“十四五”规划。
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碳化硅产业发展形势喜人，深耕行业十多年的天科合达乘势步入了高速增长阶段，2017年-2022年该公司年复合增长率超过90%。
强强合作是公司发展壮大的绝佳选项，而天科合达和英飞凌之间的绑定助推双方合作共赢。今年5月，英飞凌与天科合达签订了一份长期协议，天科合达将为英飞凌供应用于制造碳化硅半导体产品的6英寸碳化硅衬底和晶锭，其供应量预计将占到英飞凌长期需求量的两位数份额。
根据该协议，第一阶段将侧重于6英寸碳化硅材料的供应，但天科合达也将提供8英寸碳化硅材料，助力英飞凌向8英寸晶圆过渡。
与世界知名厂商合作的同时，天科合达持续提升产能。今年8月8日，天科合达全资子公司江苏天科合达半导体有限公司（以下简称江苏天科合达）碳化硅衬底二期扩产项目开工。江苏天科合达二期项目将新增16万片碳化硅衬底产能，并计划明年6月建设完成，同年8月竣工投产，届时江苏天科合达总产能将达到23万片。
伴随产能提升的是天科合达技术不断升级。天科合达近日在第四届亚太碳化硅及相关材料国际会议期间，公开展出了350微米厚8英寸碳化硅衬底、6英寸碳化硅外延片等产品。据公开资料显示，其6英寸碳化硅外延片产品的耐压强度可达1200V，可用面积可达97%。
值得一提的是，自2009年以来，天科合达连续多年位居全球碳化硅衬底主要制造商行列。（化合物半导体市场Zac整理 ）
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