纳微半导体近日宣布再度进入三星供应链：纳微GaNFast GaN功率芯片获三星旗舰智能手机Galaxy S23采用。作为下一代功率半导体技术，GaN正持续取代传统Si功率芯片在移动设备、消费电子、数据中心、电动汽车的市场份额。
据介绍，为支撑强大的性能，Galaxy S23配备一块3900mAh的锂离子电池，搭载GaNFast GaN功率芯片的25W充电器（型号为EP-T2510）以及USB PD3.0接口，使其仅需30分钟就能充满50%的电量，并在待机模式下只消耗5mW的电力。PD 3.0接口意味着这款新充电器可以为从Galaxy Buds2耳机到Galaxy Z Fold5，Galaxy Flip和Galaxy A23的一系列设备供电。
纳微半导体的GaNFast GaN功率芯片运用在该充电器的150kHz高频反激(HFQR)拓扑结构中，并凭借着领先的高频性能，使得充电器体积缩小30%以上。
此前消息，今年3月，纳微半导体的GaNFast技术已进入三星Galaxy S22 Ultra和S22+ 智能手机充电器。
纳微专有的GaN功率IC在单个 SMT 封装中集成了GaN器件、驱动、控制和保护功能。是易于使用、高速、高性能的“数字输入、电源输出”模块，与早期的硅方案相比，实现高达3倍的充电速度、节省一半的尺寸和重量，节能高达 40%。
GaN作为第三代半导体材料，其运行速度比传统硅芯片快20倍。用于尖端快速充电器产品时，GaN可以实现远远超过现有产品的性能，在尺寸相同的情况下，输出功率提高了三倍。
根据TrendForce集邦咨询《2023全球GaN功率半导体市场分析报告》显示，全球GaN功率元件市场规模将从2022年的1.8亿美金成长到2026年的13.3亿美金，复合增长率高达65%。
目前，GaN功率元件市场的发展主要由消费电子所驱动，核心仍在于快速充电器，其他消费电子场景还包括D类音频、无线充电等。（文：集邦化合物半导体Rick整理）
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