三安光电：LED芯片售价下跌，Q3净利润下滑95.19%
第三季度，三安光电实现营收36.86亿元，同比增长13.43%；归母净利润264.36万元，同比下降95.19%；前三季度，公司实现营收101.56亿元，同比增长1.43%；归母净利润为1.73亿元，同比下降82.51%。
三安光电表示，第三季度随着市场行情的逐步好转，公司LED芯片销售量较上年同期增加，虽部分芯片售价环比有所回升，但整体售价较上年同期有较大幅度下降。另外，公司设备稼动率逐步恢复中，部分产品生产成本上升；高端产品占比有所改善，但尚未达到预期，因此导致公司营业成本同比上升。
三安光电收入来源于LED业务、集成电路业务两大板块。集成电路业务涵盖射频前端、光技术、电力电子等三大应用领域，今年上半年各细分业务实现稳步成长，共实现销售收入15.22亿元，同比增长4.14%。毛利率方面，得益于SiC产能的持续释放，成本降低，SiC业务毛利率有所提高，叠加GaAs射频和GaN射频业务的推进，三安光电集成电路整体毛利率增长了7.75%。
值得注意的是，在业务整合上，三安光电宣布对射频类、光芯片类业务进行了整合，转让相关子公司股权，进一步明确了公司射频业务、光芯片业务、SiC/GaN电力电子业务、LED芯片业务的发展方向。
基于对三安光电未来稳健发展的信心，三安光电于8月获得间接控股股东三安集团及其一致行动人增持股份，合计增持金额5,000万至1亿元，增持计划于9月19日实施完成。增持完成后，三安集团和三安电子合计对三安光电的持股比例上升至29.338%。10月23日，三安光电宣布，三安集团及其一致行动人拟再次以自有资金通过集中竞价交易方式增持三安光电股份，增持金额为人民币5,000万元至1亿元。
华润微：营收达75.30亿元，投资未来
10月27日晚，华润微公布2023年第三季度报告，报告显示，今年前三季度，公司营收75.30亿元，净利润10.56亿元；第三季度营收25亿元，同比增长0.57%，净利润2.78亿元。
华润微本年前三季度研发投入达8.69亿元，同比增长40.22%。华润微表示，公司今年的资金主要用于加大研发投入、推进深圳12吋线和封测基地的业务展开。
今年年初，位于西部（重庆）科学城西永微电园的华润微电子重庆园区内，每个月都有约6.5万片8吋晶圆下线。该产业园区内的12吋晶圆产线预估将形成每月3万-3.5万片12吋晶圆产能，并配套12吋外延及薄片工艺能力。
此外，华润微今年全力以赴推进深圳12吋特色工艺集成电路生产线工程建设，该项目预计2024年年底实现通线投产，满产后将形成年产48万片12吋功率芯片的生产能力。
据悉，该项目总投资规模约220亿元，聚焦40纳米以上模拟特色工艺，项目规划总产能4万片/月，产品主要应用于汽车电子、新能源、工业控制、消费电子等领域。
近期国内外的不少半导体企业都表示，今年下半年半导体市场下行周期或将到达谷底，行业即将迎来复苏的曙光。华润微通过自身的超前布局，持续加大研发投入和业务开拓力度，为后续即将上升的市场需求做准备。
天岳先进：营收增长206.06%，拐点已至
10月27日晚，天岳先进披露三季报显示，2023年前三季度，公司实现营收8.25亿元，同比增长206.06%，超出了此前的预期。
公司第三季营收3.87亿元，同比增长255.89%，净利润380万元，实现了扭亏为盈。
在经济不景气的大环境下，天岳先进为了一改此前亏损的状态，努力调整自身业务结构。今年，天岳先进除了加快推进上海临港碳化硅半导体材料项目的建设外，还将济南工厂的部分半绝缘产能调整为6英寸导电衬底，并在去年就实现导电型衬底的批量供货，产能结构优化取得成效。
根据TrendForce集邦咨询新推出的《2023中国SiC功率半导体市场分析报告》显示，从产业结构来看，中国的SiC功率半导体产值以功率元件业（包含Fabless、IDM以及Foundry）占比最高，达42.4%，接续为衬底片制造业及外延片制造业。
TrendForce集邦咨询预估2023年中国N-Type SiC衬底产能（折合6英寸）可达1020Kpcs。
此前消息，上海临港新工厂已于今年5月开始交付6英寸SiC导电型衬底，目前产能和产量均在持续爬坡中。按照规划，该工厂将年产30万片6英寸导电型SiC衬底，原计划2026年投产，但按照目前的进展来看，天岳先进预计将提前实现达产。
在此基础上，天岳先进已决定通过优化生产工艺、调整生产设备、原辅材料和公辅环保设施等方式，提高产品质量和产量，借此将6英寸SiC衬底的生产规模扩大至96万片/年，相当于产能比原计划显著扩大220%。
今年天岳先进前三季研发投入8730万，同比增长41.15%。通过与国内外企业签订长期合作协议，天岳先进通过快速扩大销售规模的方式，减缓大幅增长的研发投入所带来的资金压力。
面对火热的SiC市场，天岳先进重视自主自研，积累技术优势。去年实现了自主扩径制备高品质8英寸衬底，现已具备量产能力。今年，天岳先进通过液相法制备出了低缺陷密度的8英寸晶体，据称属于行业首创。
可以看到，通过逐步提升SiC衬底产能,扩大自身技术优势，今年第三季度的营收数据表明天岳先进营收拐点已到来。（文：集邦化合物半导体）
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