在近日召开的“第四届海峡两岸氧化镓及其相关材料与器件研讨会”上，北京镓和半导体有限公司（下文简称“镓和半导体”）推出多规格氧化镓单晶衬底并首发4英寸(100)面单晶衬底参数。
在镓和半导体展台上，现场全面陈列出氧化镓系列的2英寸（100）（001）（-201）三种晶面单晶衬底，UID和掺Sn，以及4英寸100面单晶衬底等样品实物，这些产品初步形成体系化格局。
镓和半导体总经理助理吴岳先生表示：北京镓和在国内首次发布4英寸（100）面氧化镓单晶衬底参数，并实现小批量生产；同时宣布该公司已经完全具备提供“多规格氧化镓单晶产品；多规格氧化镓外延产品；多用途氧化镓专用设备；定制化样品及技术服务”能力。这是国内氧化镓产业里程碑式的重大进展。
据了解，北京镓和半导体有限公司是专业从事氧化镓材料、相关器件的研发及其应用的高科技企业。
氧化镓作为新一代的半导体材料，拥有禁带宽度大、临界击穿场强高、导电特性良好等特点。与碳化硅和氮化镓相比，氧化镓的生产过程能够使用常压下的液态熔体法，降低了生产成本，同时具备高质量和高产量的优势。
在性能参数上，氧化镓几乎在所有方面都超越了目前市场上火热的碳化硅，尤其在禁带宽度和击穿场强方面表现突出，使其在大功率和高频率应用中具有显著优势。因此，氧化镓在通信、雷达、航空航天、高铁动车、新能源汽车等领域有着巨大的应用潜力。
根据Flosfia的预测，到2025年，氧化镓功率器件市场规模将开始超过氮化镓，2030年将达到15.42亿美元（约100亿元人民币），占碳化硅的40%，是氮化镓的1.56倍。
目前，氧化镓市场基本是由日本的Novel Crystal Technology（NCT）和Flosfia两大巨头垄断。虽然中国起步比较晚，但是通过近几年的积极布局，国内的氧化镓产业链逐渐走向成熟。（文：集邦化合物半导体Morty整理）
更多SiC和GaN的市场资讯，请关注微信公众账号：集邦化合物半导体。