功率半导体器件是构成电力电子变换装置的核心器件。其中，MOSFET因其具有易于驱动、开关速度快、损耗低等特点，逐渐成为功率器件的主流产品。
与传统的硅（Si）功率半导体相比，SiC MOSFET具有大禁带宽度、高临界击穿场强、高热导率三个最显著特征，适用于大功率且高效的各类应用，包括工业电源、太阳能逆变器和UPS等领域。
2023年6月15日，TrendForce集邦咨询特在深圳福田JW万豪酒店举办“第三代半导体前沿趋势研讨会”。
届时，泰科天润 应用测试中心总监 高远将出席，给大家带来《我们需要怎样的SiC MOSFET》主题演讲，同场还有更多“重量级”嘉宾，给大家进一步剖析第三代半导体的现状和未来。
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