近期，在第三届九峰山论坛(JFSC)暨化合物半导体产业博览会(CSE)期间，第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）正式发布2项SiC单晶生长用等静压石墨标准：
T/CASAS 036—2025《碳化硅单晶生长用等静压石墨构件纯度测定方法 辉光放电质谱法》
T/CASAS 048—2025《碳化硅单晶生长用等静压石墨》
上述两份文件主要起草单位为：赛迈科先进材料股份有限公司、北京北方华创微电子装备有限公司、湖南三安半导体有限责任公司、山东天岳先进科技股份有限公司、山西烁科晶体有限公司、山东大学、中国科学院半导体研究所、中电化合物半导体有限公司、杭州海乾半导体有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。
两项标准旨在为碳化硅（SiC）单晶生长技术的规模化、高质量发展提供关键支撑。
据悉，等静压石墨是PVT法生长SiC单晶的重要耗材，占SiC衬底生产物料成本约30%，其国产化、产业化、规模化推动了SiC成本的持续降低，加快了SiC器件更广泛的应用于光伏、储能、工业变频，为我国的双碳战略贡献力量。
未来，CASA联盟将继续围绕第三代半导体材料、器件及应用，加速关键标准研制与国际化布局，助力第三代半导体产业在全球价值链中占据更高位势。（集邦化合物半导体整理）