近期，南京芯干线科技透露，今年第一季度，公司以第三代半导体技术为核心驱动力，在AI算力基础设施、消费电子快充、高端音响电源及商用储能领域连破壁垒，成功打入多个全球一线品牌供应链。
source：芯干线科技
AI算力基建领域，芯干线自主研发的 700V增强型氮化镓（GaN）功率器件及1200V碳化硅（SIC）MOSFET，经过21年到24年近三年的从器件单体到系统集成等多轮多环境测试，顺利通过某全球某一线AI服务器品牌系统商的可靠性验证，预计在25年第二季度正式接单量产。
3C消费电子领域，芯干线为某全球一线手机品牌定制的45W氮化镓PD快充方案Q1实现规模化量产。该方案集成了公司第三代 GaN HEMT器件（X3G6516B5），X3G6516B5是700V增强型(E-mode)氮化镓功率器件，通态电阻150mΩ，DFN5x6封装。
专业音频领域，芯干线针对高端音响功放开发的氮化镓电源方案，已通过国际一线品牌的认证并实现量产。
新能源储能领域，芯干线为国内某头部商用储能企业定制的1200V全碳化硅模块，（XS004HB120N6、XS003HB120N6）,于Q1正式投产。3mΩ超低导通电阻，在导通电阻与动态性能上均实现了相当大的提升。
展望2025，芯干线计划将研发投入提升至营收的25%，重点突破车规级SIC MOSFET与800V高压快充方案，目标在新能源汽车功率半导体市场实现从0到1的突破。（集邦化合物半导体整理）