第三代半导体产业中，氮化镓凭借出色的电子迁移率和更高的开关速度，在高频应用领域中展现出优势，吸引业界关注。近期，市场传来纳微半导体、CGD两家公司氮化镓新动态，涉及电动汽车、车载充电以及光伏逆变器等领域。
01 纳微半导体全球首发双向氮化镓开关
3月12日，纳微半导体发布全球首款量产级650V双向GaNFast™氮化镓功率芯片及高速隔离型栅极驱动器。通过单级BDS（双向开关）变换器实现电源技术范式跃迁。纳微半导体指出，该技术将推动传统双级拓扑向单级架构转型，目标市场涵盖电动汽车充电（车载充电机OBC及充电桩）、光伏逆变器、储能系统及电机驱动等领域，有望开启数十亿美元级市场机遇。
source：纳微半导体
首批650V双向GaNFast™氮化镓功率芯片包括料号为NV6427（典型导通电阻为100 mΩ）和NV6428（典型导通电阻为50 mΩ）的两款产品，采用顶部散热的TOLT-16L（晶体管外形引脚顶部冷却）封装，已通过品质认证并已进入量产阶段。
全新IsoFast™电气隔离型高速驱动器，专为驱动双向氮化镓器件设计。其瞬态抗扰度较现有驱动器提升4倍（最高达200 V/ns），且无需外部负压供电，可在高压系统中实现可靠、快速、精准的功率控制。首批产品包括采用SOIC-16N封装的NV1702（双通道数字隔离型双向氮化镓栅极驱动器）及采用SOIC-14W封装的NV1701（半桥氮化镓数字隔离器）两款料号，两款样品可提供给符合资质的客户。
02 CGD推出新能源车主驱逆变器的GaN解决方案
近日，CGD宣布推出可支持100kW以上的新能源车主驱逆变器的GaN解决方案。该方案基于其专利ICeGaN® 氮化镓（GaN）技术，目标瞄准规模超百亿美元的电动汽车市场。
Combo ICeGaN® 方案通过将智能化的ICeGaN® HEMT与传统IGBT 组合并封装于同一功率模块，在实现效率最大化的同时，为碳化硅 (SiC) 解决方案提供了更具成本效益的替代选择。
source：CGD
CGD介绍，该方案分利用了ICeGaN与IGBT器件的协同优势：二者具有相近的阈值电压（ICeGaN®约3V，IGBT为4-5V）、兼容的电压驱动范围（0-20V）以及卓越的栅极可靠性。在混合并联架构中，ICeGaN 器件凭借其低导通损耗和低开关损耗的特性，将在轻载工况下发挥主导作用；而IGBT则在高负载或峰值输出条件下展现优势。该混合方案既受益于IGBT的高饱和电流与雪崩钳位能力，又兼具ICeGaN 的超高效开关特性。在高温环境下，IGBT的双极特性使其在更低导通电压下提前开启，有效补偿ICeGaN的电流损耗；而在低温条件下，ICeGaN将承担更多电流。系统通过智能的检测与保护功能，动态优化Combo ICeGaN的驱动模式，同步扩展两种器件的安全工作区（SOA），提高系统可靠性。
CGD预计该方案将于今年进入工程样机阶段并于年底前推出Combo ICeGaN的演示模块和评估版。（集邦化合物半导体 奉颖娴 整理）
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