2月20日，欧盟委员会宣布批准德国政府对英飞凌位于德累斯顿的智能功率半导体晶圆厂授予9.2亿欧元（约69.85亿元人民币）的《欧洲芯片法案》补贴，用于其在德国德累斯顿建设新的半导体制造工厂。
公开资料显示，英飞凌的德累斯顿新晶圆厂项目整体投资规模达50亿欧元，于2023年3月启动建设，目标是在2026年投入使用，2031年达到满负荷生产。建成后的工厂将主要制造分立功率器件和模拟/混合IC，其产品将广泛供应于工业、汽车、消费等多个领域，满足市场对半导体日益增长的需求。
公开资料显示，英飞凌的德累斯顿新晶圆厂项目整体投资规模达50亿欧元，于2023年3月启动建设，目标是在2026年投入使用，2031年达到满负荷生产。建成后，该工厂将制造分立功率器件和模拟/混合IC，产品供应工业、汽车、消费等多个领域。
英飞凌首席执行官JochenHanebeck表示，这笔政府资金意义非凡。它不仅将加强德累斯顿、德国乃至欧洲作为半导体中心的地位，还将有力促进最先进的微电子创新和生产生态系统的发展。
除了新厂建设，在2025年，英飞凌推出了一系列创新产品和技术。
2月13日，英飞凌宣布推出首款采用先进200mm SiC晶圆技术制造的碳化硅产品，这标志着其SiC技术路线图取得了重大进展。此外，其位于马来西亚居林的制造基地正顺利从150毫米晶圆向200毫米直径晶圆转换，其新建Module 3 厂房已准备好根据市场需求开始大规模生产。
在超薄功率半导体晶圆加工技术方面，英飞凌取得了突破性成果，成功推出全球最薄的硅功率晶圆，厚度仅为20微米，这一成果大幅提升了功率半导体的性能与应用潜力。
在氮化镓（GaN）技术领域，英飞凌率先推出全球首款300mm功率氮化镓技术。据英飞凌预测，氮化镓将在多个行业达到应用临界点，进一步推动能源效率提升。
▶在人工智能数据中心，氮化镓技术能提升功率密度，影响单位机架空间内的计算能力；
▶在家用电器领域，以800W应用为例，氮化镓可助力产品效率提升2%，帮助制造商获得更高能效评级；
▶在电动汽车领域，基于氮化镓的车载充电器和DC-DC转换器将提高充电效率、功率密度和材料可持续性。随着成本与硅接近，预计今年及未来氮化镓的采用率将不断提高。
此外，英飞凌近期还推出了CIPOS™Maxi智能功率模块IM12BxxxC1系列，该系列基于1200VIGBT7和快速二极管Emcon7技术，能够实现较强控制和性能，在工业、能源等领域具有广阔的应用前景。（集邦化合物半导体整理）
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