1月21日，中科院微电子研究所发布消息称，我国首款高压抗辐射碳化硅功率器件研制成功。该所刘新宇、汤益丹团队和中国科学院空间应用工程与技术中心刘彦民团队等开展合作，成功研制出首款国产高压抗辐射碳化硅（SiC）功率器件及其电源系统。
这一突破标志着我国在半导体功率器件领域迈向新高度。碳化硅作为第三代半导体材料的代表，具有禁带宽度大、击穿场强高、饱和电子速度快等特性，与传统硅基材料相比优势显著。
其独特性能使得碳化硅功率器件能大幅提升电力转换效率，在高电压、高频率、高温环境下稳定运行。这不仅契合当下能源高效利用需求，更为新能源汽车、智能电网、轨道交通等领域带来变革机遇。该款功率器件的成功研制有着重大战略意义。
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在航天领域，其抗辐射性能可满足卫星、空间站等空间设备的电力需求，助力我国航天事业迈向深空探索。
中国科学院表示，本次搭载的SiC载荷系统主要任务为国产自研高压抗辐射SiC功率器件（主要是SiC二极管和SiCMOSFET器件）的空间验证及其在航天电源中的应用验证、SiC功率器件综合辐射效应等科学研究，有望逐步提升航天数字电源功率，支撑未来单电源模块达到千瓦级。
据悉，该款高压抗辐射碳化硅功率器件是中科院科研团队多年攻坚的成果。在研发过程中，团队攻克了材料生长、器件设计与制造工艺等一系列难题。通过优化晶体结构，提升材料纯度，确保了碳化硅器件在高电压下的稳定性与可靠性；创新的器件设计大幅降低了导通电阻，提高了开关速度；先进的制造工艺保证了器件的一致性与良品率。（集邦化合物半导体整理）
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