近期,东尼电子、拓荆科技、东微半导三家碳化硅相关企业披露2024年业绩预告。
东尼电子预计2024年业绩扭亏为盈
1月19日晚间,东尼电子公告,经财务部门初步测算,预计公司2024年度实现净利润1000万元到1500万元,同比将实现扭亏为盈;预计2024年度实现扣非净利润-7800万元到-7300万元。
东尼电子表示,上述业绩变动主要因报告期内公司资产减值损失大幅减少;消费电子、新能源等各业务的毛利额较上年同期均有增长;优化产业结构、控制研发投入导致研发费用下降。另外,报告期内,公司政府补助等非经营性损益较上年同期增长。
资料显示,东尼电子专注于超微细合金线材、金属基复合材料及其它新材料的应用研发、生产与销售,其生产的产品主要应用于消费电子、医疗、太阳能光伏、新能源汽车、半导体新材料五大领域。碳化硅方面,东尼电子在碳化硅衬底材料方面有研发和生产,是碳化硅产业链上游的重要企业。
2021年东尼电子非公开发行募投项目“年产12万片碳化硅半导体材料”,该项目位于湖州市吴兴区织里镇,已于2023年上半年实施完毕。去年3月18日,湖州市生态环境局公示了对东尼电子扩建SiC项目的环评文件审批意见。根据公告内容,东尼半导体计划利用东尼五期厂区厂房,实施扩建年产20万片6英寸SiC衬底材料项目。
图片来源:拍信网正版图库
拓荆科技预计2024年营收同比增逾四成
1月20日晚间,拓荆科技披露2024年年度业绩预告,预计公司2024年年度实现营业收入40亿元至42亿元,与上年同期相比增加12.95亿元至14.95亿元,同比增长47.88%至55.27%。
资料显示,拓荆科技专注于研发和生产高端半导体专用设备,产品线包括离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备、原子层沉积(ALD)设备和次常压化学气相沉积(SACVD)设备三大系列。产品已广泛用于中芯国际、华虹集团、长江存储、长鑫存储、厦门联芯、燕东微等国内主流晶圆厂产线。
今年上半年,拓荆科技超高深宽比沟槽填充CVD设备、PE-ALD SiN工艺设备、HDPCVD FSG、HDPCVD STI工艺设备等新产品及新工艺已经下游用户验证导入。
去年12月末,拓荆科技发布公告,公司控股子公司拓荆键科(海宁)半导体设备有限公司(简称“拓荆键科”)拟与上海稷以科技有限公司(简称“稷以科技”)签订设备采购合同,合同总金额约人民币1000万元(含税)。本次拟采购碳化硅刻蚀设备一台,本次设备采购将有助于提高拓荆键科的生产能力,为新产品的产业化提供保障。
东微半导预计2024年净利润盈利最高4,700万元
近日,东微半导发布公告称,预计2024年1-12月归属于上市公司股东的净利润盈利为3,200万元至4,700万元,同比上年下降66.43%至77.15%;预计2024年1-12月营业收入为97,500万元至102,000万元,同比上年增长0.22%至4.85%。
资料显示,东微半导是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业,产品专注于工业及汽车相关等中大功率应用领域。
目前,东微半导第一代及第二代1200V碳化硅MOSFET产品已通过可靠性测试工作并开始获得客户订单,其中第二代碳化硅MOSFET已在2024年推出多个产品。与此同时,东微半导体正在研发650V/750V/1200V的第三代、第四代碳化硅MOSFET。(集邦化合物半导体Flora整理)
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