1月7日，据津云消息，北京青禾晶元半导体科技有限责任公司近日迁址天津滨海高新区，更名为青禾晶元半导体科技（集团）有限责任公司，作为青禾晶元全国总部和上市主体。
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据青禾晶元相关负责人介绍，后续青禾晶元将进一步加大在高新区投资布局，陆续建设键合设备二期扩产线、大产能复合衬底材料产线等。
据悉，青禾晶元最新一轮融资已在2024年10月完成，融资规模超过4.5亿元，主要投资方包括深创投新材料大基金、中金公司等，其计划于2027年申报上市。
技术方面，青禾晶元于2024年4月成功制备了8英寸SiC键合衬底。据了解，SiC长晶受限于生长良率低、周期长等瓶颈导致成本无法有效降低。而先进SiC键合衬底技术可以将高、低质量SiC衬底进行键合集成，有效利用低质量长晶衬底，与长晶技术一同推进SiC材料成本的降低。
官网资料显示，青禾晶元集团成立于2020年7月，聚焦于新型半导体材料的研发生产制造。青禾晶元集团是晶圆异质集成技术与方案的提供商，专注于面向第三代半导体、三维集成、先进封装、功率模块集成等应用领域。（集邦化合物半导体Zac整理）
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