1月8日，据晶驰机电官微消息，晶驰机电开发的8英寸碳化硅（SiC）电阻式长晶炉近日通过客户验证，并正式开启了小批量交付。
source：晶驰机电
据介绍，该设备采用独特的结构设计，结合过程控制理论和自动化控制方法，实现了长晶过程中工艺参数的精准控制和设备运行的高度智能化。通过创新的热场设计，实现均匀的径向温度和宽范围精准可调的轴向温度梯度。热场稳定性高，使用寿命长，大幅提升了晶体的质量和良品率。
据悉，目前主流碳化硅长晶炉主要包括物理气相输运（PVT）法和电阻加热法两种技术。
其中，PVT法是目前碳化硅单晶生长的主流技术，已经实现了商业化应用。其工作原理是将碳化硅粉末在高温下升华为气态组分，这些气态组分在温度梯度的作用下输运至籽晶处重新结晶，形成单晶结构。PVT法的优势在于能够制备高纯度、大尺寸的晶体。
而电阻加热法是一种新兴的碳化硅长晶技术，其加热方式主要通过电阻或感应加热。这种方法的优势在于能够更好地控制温度梯度，减少晶体缺陷，适合生长厚尺寸、高质量的晶体。电阻加热长晶炉通常具有结构紧凑、可兼容多种加热方式、控温精度高等特点，能够满足6-8英寸碳化硅单晶的生长需求。
碳化硅长晶炉是衬底生长的核心工艺设备，对行业的发展起到决定性作用，已吸引众多国内碳化硅设备厂商涉足。
其中，连科半导体在5月发布的8英寸碳化硅长晶炉，具有结构设计紧凑、长晶工艺灵活、节约环保等特点；6月，优晶科技8英寸电阻法碳化硅单晶生长设备获行业专家认可，成功通过技术鉴定评审；晶升股份第一批8英寸碳化硅长晶设备已于2024年7月在重庆完成交付；而在近日，松瓷机电碳化硅单晶炉成功制备出8英寸碳化硅单晶晶体。（集邦化合物半导体Zac整理）
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