12月31日，据中国电子材料行业协会消息，中电科半导体材料有限公司所属山西烁科晶体有限公司近日成功研制出12英寸（300mm）高纯半绝缘碳化硅单晶衬底，并同期研制成功12英寸N型碳化硅单晶衬底。
source：中国电子材料行业协会
从电化学性质差异来看，碳化硅衬底材料可以分为导电型衬底（电阻率区间15-30mΩ·cm）和半绝缘型衬底（电阻率高于105Ω·cm）。其中，半绝缘型碳化硅衬底主要应用于制造射频器件、光电器件等，导电型碳化硅衬底主要应用于制造肖特基二极管、MOSFET、IGBT等功率器件。
烁科晶体此次同时研制出2种12英寸碳化硅衬底，有望推动碳化硅产业加速向大尺寸晶圆时代前进。
据悉，晶圆尺寸增大意味着每片晶圆上可以制造更多的芯片，从而提高了生产效率。不仅降低了单个芯片的生产成本，还使得整体制造成本得到优化。因此，大尺寸晶圆在经济上具有更高的效益，为制造商带来了更大的竞争优势。目前，大尺寸晶圆已成为各大厂商共同追求的目标。
除烁科晶体外，天岳先进已于2024年11月13日发布了12英寸N型碳化硅衬底产品，标志着碳化硅产业正式迈入超大尺寸碳化硅衬底时代。尽管目前碳化硅衬底领域正在由6英寸向8英寸转型，但未来向12英寸演进已具有较高的能见度。（集邦化合物半导体Zac整理）
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