12月20日，据青禾晶元官微消息，青禾晶元近日与中科院微电子所高频高压中心及南京电子器件研究所合作，共同基于6英寸Emerald-SiC复合衬底，成功研发出高性能且低成本的1200V SiC MOSFET。
source：青禾晶元
据了解，目前，可用于MOSFET制造的无缺陷衬底（即“高质量”衬底）的成品率通常仅为40%-60%。在6-8英寸SiC的生长和提纯过程中产生的低等级衬底（即“低质量”衬底）通常被作为陪片甚至废料处理，导致高质量SiC衬底的生产成本较高，通常占最终MOSFET器件成本的50%以上。
为应对这一挑战，青禾晶元携手中科院微电子所等合作单位在国际上首次提出了一种新型6英寸单晶SiC复合衬底，通过表面活化键合技术和离子注入剥离技术，将高质量SiC薄层键合转移到低质量单晶SiC衬底上，实现了低质量单晶SiC衬底有效使用，每个高质量SiC晶圆可重复使用超过30次（即每个高质量晶圆可以产生超过30个薄层），预计成本降低40%。
据观察，复合衬底已成为碳化硅乃至半导体产业的一大技术突破方向，已吸引部分厂商涉足，除青禾晶元外，达波科技近期也披露了碳化硅复合衬底相关进展。
达波科技首条4/6英寸碳化硅基压电复合衬底生产线于11月23日在其上海临港工厂正式贯通。
据悉，碳化硅基压电复合衬底是一种由碳化硅和其他材料复合而成的材料，具有高硬度、耐高温、耐腐蚀等优点。这种材料在多个领域有广泛应用，特别是在电子、光电和机械行业中。
在电子行业，碳化硅基压电复合衬底被广泛应用于制造高功率LED和功率器件，其优异的导热性能可以有效降低设备的温度，提高设备的寿命和可靠性；在光电行业中，碳化硅基压电复合衬底用于制造太阳能电池板和激光器，其高硬度和高热导率可以有效提高器件的效率和性能。（集邦化合物半导体Zac整理）
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