据“势能资本”官微消息，芯辰半导体（苏州）有限公司（下文简称“芯辰半导体”）外延设备已于近日投产，覆盖砷化镓（GaAs）及磷化铟（InP）光芯片四元化合物全材料体系。
据介绍，芯辰半导体目前已实现波长范围760nm~1700nm外延片的量产，外延均匀性为激射中心波长外2nm之内。其中典型波长的激光芯片外延片，如808、850、905、940、1064、1550、1654nm，已在自主产线实现VCSEL或DFB芯片验证。
source：芯辰半导体
此外，相关外延片已获客户长期合作订单，其中砷化镓外延片最大可支持6英寸晶圆、磷化铟外延片最大可支持4英寸晶圆，同时配套有相关晶圆质量检测设备。公开资料显示，芯辰半导体专注于生产VCSEL和EEL激光器芯片。
其产品广泛应用于光通信、激光雷达、生物医学和先进装备等多个领域。公司采用IDM模式，致力于在太仓打造砷化镓和磷化铟系光芯片自主制造基地。
今年9月初，芯辰半导体旗下砷化镓、磷化铟高端光电子芯片IDM生产线完成试运行。该产线包含了从芯片设计、材料外延、光刻、刻蚀、镀膜等芯片工艺到封装测试的完整工艺研发平台和产品生产线。同月，公司光芯片封测平台建设完成并对外开放。
10月底，总投资达8亿元的芯辰半导体项目一期在江苏太仓实现了投产，预计达产后可实现年产8000万颗光芯片、产值10亿元。（集邦化合物半导体整理）
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