据“江苏姜堰”官微消息12月5日，据英飞凌工业半导体消息，英飞凌发布了全新一代氮化镓产品CoolGaN™ G3和CoolGaN™ G5系列，采用英飞凌自主研发的高性能8英寸晶圆工艺制造，将氮化镓的应用范围扩大到40V至700V。
source：江苏姜堰
其中，CoolGaN™ G3系列覆盖60V、80V、100V和120V电压等级，以及40V双向开关（BDS）器件，主要面向电机驱动、电信、数据中心、太阳能和消费应用；CoolGaN™ G5系列基于GIT（Gate Injection Transistor，栅注入晶体管）技术推出新一代650V晶体管，以及基于G5的IPS驱动产品，适用于消费、数据中心、工业和太阳能领域的应用。
据悉，自2023年以来，英飞凌正在加速布局GaN业务。2023年5月，作为项目主导方，英飞凌宣布将参与一个由45家合作伙伴共同建设的欧洲联合科研项目ALL2GaN，目的是开发从芯片到模块的集成GaN功率设计，主要面向电信、数据中心和服务器等应用。
当年10月，英飞凌以8.3亿美元完成收购GaN Systems。GaN Systems是全球前五大GaN功率器件厂商之一，收购GaN Systems后，英飞凌在一定程度上改变了GaN功率器件市场竞争格局。
而在今年9月12日，英飞凌宣布率先开发全球首项12英寸氮化镓功率半导体技术。按照英飞凌的说法，这项技术能够彻底改变行业的游戏规则，相较于8英寸晶圆，12英寸晶圆芯片生产不仅在技术上更先进，也因晶圆直径扩大，每片晶圆上芯片数量增加了2.3倍，显著提高了效率。
目前，英飞凌已在Villach厂利用现有12英寸硅生产设备的整合试产线，成功地生产出12英寸GaN晶圆。
当前，消费电子是功率GaN产业的主战场，并由快速充电器迅速延伸至家电、智能手机等领域。而在汽车、AI数据中心、机器人等领域，氮化镓也都有较大的应用潜力，并取得了一定的成果，前景光明。
根据TrendForce集邦咨询最新报告《2024全球GaN?Power?Device市场分析报告》显示，随着各大厂商对GaN技术倾注更多资源，功率GaN产业的发展将再次提速。2023年全球GaN功率元件市场规模约2.71亿美元，至2030年有望上升至43.76亿美元，CAGR（复合年增长率）高达49%。其中非消费类应用比例预计会从2023年的23%上升至2030年的48%，汽车、数据中心和电机驱动等场景为核心。（集邦化合物半导体Zac整理）
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