氧化镓作为一种新兴的半导体材料，受益于其优良的物理特性，成为了以碳化硅为代表的第三代半导体的潜在竞争者。目前，国内外相关企业正在加速推进氧化镓的产业化。近日，又有一家国内企业披露其在氧化镓领域取得新进展。
source：镓仁半导体
11月29日，据镓仁半导体官微消息，今年10月，镓仁半导体在氧化镓晶体的直拉法生长与电学性能调控方面实现技术突破，成功生长出2英寸N型氧化镓单晶并制备出2英寸晶圆级N型(010)晶面氧化镓单晶衬底，衬底平均电阻率＜30mΩ·cm，电阻率均匀性＜5%。
据介绍，镓仁半导体致力于直拉法氧化镓晶体生长技术的研发，于今年相继完成2英寸UID和半绝缘直拉晶体的技术突破，并成功解决了（010）晶面衬底加工技术难题，成为目前唯一的2英寸（010）晶面衬底产品供应商。
在2英寸UID和半绝缘直拉法晶锭的中试阶段，镓仁半导体通过工艺革新，提高放肩和等径生长的稳定性，于近期实现一次成晶的技术，从而克服Sn掺高挥发的缺陷，成功制备出导电型氧化镓单晶。
资料显示，在氧化镓单晶衬底的主流晶面中，（010）晶面因其卓越的物理特性和外延表现而备受青睐。（010）晶面热导率最高，有利于提升功率器件性能；（010）晶面外延容许生长速率最快，符合产业化需求；并且基于（010）晶面制备的器件性能相较于其它晶面更为优异。
国内厂商方面，9月12日，据富加镓业官微消息，其6英寸氧化镓单晶及外延片生长线于9月10日在杭州富阳开工建设。
国外厂商方面，10月18日，据外媒消息，日本东北大学近日宣布成立FOX公司，该公司以低成本大规模生产β-氧化镓（β-Ga2O3）晶片为目标。FOX采用了无贵金属单晶生长技术，旨在以比碳化硅更低的成本生产出低缺陷程度与硅相当的β-氧化镓衬底。（集邦化合物半导体Zac整理）
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