11月28日，据“连城数控”官微消息，近日连科半导体8吋碳化硅（SiC）电阻式长晶炉（型号：PVT-RS-40）在客户现场完成批量验收。
与此同时，连科半导体还成功制备出了直径超210毫米，厚度30毫米的8吋导电型碳化硅晶体，晶体表面光滑无缺陷。
source：连城数控
据介绍，连科半导体的8吋碳化硅电阻式长晶炉，通过石墨电阻发热，热辐射传导石墨坩埚进行加热，可调整石墨加热器的结构，有效的进行分区功率控制和温场的控制，更适合生长大尺寸的碳化硅晶体。
值得一提的是，今年10月底，连科半导体的液相法碳化硅(感应)加热长晶炉及液相法碳化硅电阻加热长晶炉已在客户现场完成验收。
连城数控表示，液相法技术在细分领域的优势逐步凸显，尤其适用于生长P型碳化硅衬底，不仅可以实现生长低位错密度、高品质的碳化硅晶片，还能显著提升碳化硅晶片的生产成品率并降低成本。
目前来看，液相法长晶技术已然成为技术和产业关注的焦点。然而，在产业化落地的道路上还需设备制造商与衬底生产商高度协作与配合，共同推进国内液相法技术进步和产业化进程。（来源：连城数控、集邦化合物半导体整理）
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