11月15日，据中铁建工集团消息，国博射频集成电路产业化（二期）项目主体结构已全面封顶，全面转入二次结构、机电安装及装饰装修施工阶段。
source：中铁建工集团
据悉，国博射频集成电路产业化项目由南京国博电子有限公司投资建设，占地面积约203亩，总投资30亿元，新建厂房及附属设施，新增设备五百余台套。项目分两期建设，其中一期用地面积约103亩，建筑面积约15.1万平方米；二期用地面积约100亩，建筑面积约7.5万平方米。
上述一期项目投资额20亿元，中试厂房、芯片厂房、模块厂房等设施已于2023年竣工投产；二期项目将重点补充射频集成电路封测制造能力，建成后与一期形成射频集成电路规模化设计、制造能力。
据悉，国博电子成立于2000年，位于南京市江宁区，隶属于中国电子科技集团有限公司。国博电子主要从事有源相控阵T/R组件和射频集成电路相关产品的研发、生产和销售。
今年前三季，国博电子实现营收18.13亿元，同比减少35.83%；归属于上市公司股东的净利润3.06亿元，同比减少31.93%。2024年第三季，公司实现营收5.11亿元，同比减少43.51%；归属于上市公司股东的净利润6185万元，同比减少56.28%。
值得一提的是，国博电子近期接受调研时表示，公司的GaN射频模块目前主要应用于国内5G通信基站，产品功率覆盖100W-600W，主流通信频段均有批量应用。（集邦化合物半导体Morty整理）
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