11月15日，据镓仁半导体官微消息，镓仁半导体氧化镓二期工厂近日正式启用。新工厂在晶体生长、晶圆加工和外延生长等关键环节引入了先进的产业化设备，预计将显著提升产能，以满足全球市场对氧化镓晶圆衬底和外延片的增长需求。
source：镓仁半导体
据介绍，在二期工厂中，镓仁半导体自主研发并对外销售的垂直布里奇曼法（VB法）氧化镓专用长晶炉已进线，而且在现有基础上对工艺进行持续优化。
镓仁半导体技术总监夏宁表示，垂直布里奇曼法是全球公认的氧化镓产业化的关键技术，而镓仁半导体是目前国内唯一能提供此类设备的供应商。
官网资料显示，镓仁半导体成立于2022年9月，目前坐落于杭州市萧山区机器人小镇，是一家专注于宽禁带半导体材料（氧化镓等第四代半导体）研发、生产和销售的科技型企业。
镓仁半导体产品包括不同尺寸、晶向和电阻率的氧化镓抛光片，可定制的氧化镓籽晶等。产品主要应用于面向国家电网、新能源汽车、轨道交通、5G通信等领域的电力电子器件。
业务进展方面，9月20日，镓仁半导体发布其首台氧化镓专用晶体生长设备。该设备不仅满足氧化镓晶体生长的各项需求，还集成了多项自主创新技术。
今年以来，镓仁半导体持续在氧化镓技术方面取得突破。4月，镓仁半导体推出了2英寸晶圆级（010）氧化镓半绝缘单晶衬底，并实现了2英寸（010）氧化镓单晶衬底的自主量产，打破了国际垄断；7月，镓仁半导体成功制备出了3英寸晶圆级（010）氧化镓单晶衬底；9月上旬，镓仁半导体宣布成功研制超薄6英寸氧化镓衬底，衬底厚度小于200微米。（集邦化合物半导体Zac整理）
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