11月13日，据“扬州经开区发布”官微消息，扬州2024（北京）经济社会发展汇报会于11月12日举行。扬州经开区现场签约央企合作项目2个，总投资36亿元，其中之一为中国电子科技集团与绿投集团国宇电子功率芯片项目。
source：扬州经开区发布
该项目总投资11亿元，其中一期项目投资5.8亿元，设备投资3亿元，计划利用现有国宇电子厂区内土地扩建分立器件功率芯片生产线，建设6英寸功率FRED芯片生产线，规划年产能48万片，达产后预计年开票10亿元，年净利润1.4亿元，纳税5000万元；项目二期规划生产IGBT、硅基GaN等高功率半导体芯片。
公开资料显示，国宇电子主要从事半导体器件芯片的研发生产。其主要产品有电源、节能灯、镇流器、电机驱动、变压器等用VDMOS场效应功率晶体管、肖特基二极管、快恢复二极管等产品，广泛应用于家电、绿色照明、计算机、汽车电子、网络通讯、工业控制等领域。
近期，除国宇电子项目外，还有多个氮化镓相关项目披露了最新进展。
11月4日，美国半导体企业MACOM宣布，将引领一个碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）技术开发项目，主要针对于射频（RF）和微波应用领域。项目专注于开发氮化镓基材料和单片微波集成电路（MMIC）的半导体制造工艺，以实现在高压和毫米波（mmW）频率下的高效运行。
9月29日，据武汉鑫威源电子科技有限公司（以下简称：鑫威源电子）官微消息，鑫威源电子在高性能氮化镓半导体激光器芯片方面取得重大技术突破，同时氮化镓半导体激光器芯片产线完成通线试产。
9月9日，广东省江门市生态环境局新会分局发布了“冠鼎半导体氮化镓功率半导体生产新建项目”的环评文件受理公告。公告显示，冠鼎半导体氮化镓功率半导体生产项目总投资1.055亿元，计划年加工氮化镓功率半导体1500万件。（集邦化合物半导体Zac整理）
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