氧化镓作为一种新兴的半导体材料，受益于其优良的物理特性，成为了以碳化硅为代表的第三代半导体的潜在竞争者。目前，国内外企业正在加速推进氧化镓的产业化。近期，镓仁半导体和富加镓业分别在氧化镓材料和功率器件领域有了新突破。
镓仁半导体采用铸造法生长6英寸氧化镓单晶
据镓仁半导体官微消息，2024年10月，镓仁半导体利用自主研发的第二代铸造法技术，成功生长出超厚6英寸氧化镓单晶，晶锭厚度可达20mm以上。
source：镓仁半导体
据悉，提高氧化镓单晶晶锭厚度，可有效降低氧化镓单晶衬底成本。
镓仁半导体指出，公司采用铸造法生成的产品，在同等直径下，单晶晶锭厚度是导模法（EFG）晶锭厚度的2-3倍。单个晶锭出片量可以达到原有的3-4倍，单片成本较原来可降低70%以上。与此同时，提高氧化镓单晶晶锭厚度，更有利于制备各种晶向以及斜切角度的大尺寸衬底。
据了解，因可以实现大的晶体尺寸、低的缺陷密度、大的生长速度以及高的晶体质量，导模法（EFG）常被业界采用制备氧化镓。日本公司NCT采用导模法结合氢化物气相外延（HVPE）技术已实现2英寸、4英寸衬底和外延的批量化供应。
而镓仁半导体则采用了铸造法，并于2023年8月制备出了4英寸氧化镓单晶。集邦化合物半导体了解到，该铸造法有两个优势：一是采用了熔体法新路线，生长过程可控性增加，减少了贵金属使用，降低了成本；二是生成的氧化镓为柱状晶，应用场景增多。
此外，制造氧化镓单晶的方法还有垂直布里奇曼法（VB）。2023年底，NCT通过垂直布里奇曼法成功制备出6英寸β型氧化镓单晶；今年10月，镓仁半导体采用垂直布里奇曼法成功生长出2英寸氧化镓单晶。
富加镓业氧化镓外延片完成MOSFET横向功率器件验证
昨（29）日，富加镓业宣布，公司研制了MBE外延片，并与国家重点研发计划项目器件团队合作，制备出了击穿电压大于2000V，电流密度为60 mA/mm的MOSFET横向功率器件。
富加镓业表示，应用公司分子束外延技术（MBE）制备的氧化镓外延片产品，采用非故意掺杂层与Sn掺杂层复合的双层外延结构，衬底材料为半绝缘型（010）Fe掺杂氧化镓，主要应用于横向功率器件。常规产品掺杂层载流子浓度为1-4E17cm-3，迁移率＞80cm2/V·s，表面粗糙度＜2 nm。
国家重点研发计划项目合作器件团队对该进行了初步流片验证，后续富加镓业将根据器件反馈结果，对外研产品进行新一轮迭代。（集邦化合物半导体Morty整理）
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