10月23日，常州纵慧芯光半导体科技有限公司（下文简称“纵慧芯光”）正式宣布，公司旗下“3英寸化合物半导体芯片制造项目”已完成封顶。
据此前中电三公司与武进日报披露，该项目总投资5.5亿元，规划用地40亩，预计明年1月投产，达产后将形成年产3英寸砷化镓芯片和3英寸磷化铟芯片合计约5000万颗的生产能力。
source：纵慧芯光
资料显示，纵慧芯光成立于2015年，致力于垂直腔面激光发射器（VCSEL）的研发、设计、生产和制造。企业自有6寸外延产线，可实现每月2000片6寸砷化镓外延片的量产产能，并建有封装产线。公司产品主要应用于消费电子，汽车电子，光通讯等领域。
企查查显示，截至目前，纵慧芯光已完成了多轮融资。其中，能见到不少知名大企的身影——2020年6月，华为旗下投资平台哈勃投资入股了该公司；随后，小米于2020年12月对其进行了投资；比亚迪也参与了纵慧芯光2021年、2022年的两轮融资。
值得一提的是，同获得华为哈勃投资的长光华芯，公司旗下化合物半导体光电子平台项目也于9月封顶。
该项目将打造先进化合物半导体光电子研发生产平台，进行氮化镓（GaN）、砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等激光器和探测器用2-3英寸芯片产线建设及器件封装等。建成后，将具备年产1亿颗芯片、500万器件的能力。项目于2023年12月开工，预计2025年建成并全面投产。（集邦化合物半导体Morty整理）
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