10月17日，据无锡市新吴区官网消息，位于无锡市高新区（新吴区）的新洁能总部基地及产业化项目即将竣工投产。
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据悉，新洁能总部基地及产业化项目总投资13.5亿元，用地面积约3.17万平方米，建筑面积约5.4-5.7万平方米，该项目于2023年1月开工建设，预计2024年底竣工投用。
该项目建成投产后，预计年产碳化硅/氮化镓功率器件2640万只；年产14.52亿只IC及智能功率模块（IPM）等功率集成模块；年产362.6万只SiC/IGBT/MOSFET等功率集成模块（含车规级）。预计达产后可实现年产值16.66亿元。
官网资料显示，新洁能成立于2013年1月，拥有新洁能香港、电基集成、金兰功率半导体、国硅集成电路四家子公司以及深圳分公司、宁波分公司。新洁能专注于MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发、设计及销售，产品广泛应用于消费电子、汽车电子、工业电子、新能源汽车及充电桩、智能装备制造、轨道交通、光伏新能源、5G等领域。
产品方面，新洁能构建了IGBT、屏蔽栅MOSFET（SGT MOSFET）、超结MOSFET（SJ MOSFET）、沟槽型MOSFET（Trench MOSFET）四大产品工艺平台，并已陆续推出车规级功率器件、SiC MOSFET、GaN HEMT、功率模块、栅极驱动IC、电源管理IC等产品，电压覆盖12V-1700V全系列。
目前，新洁能的SiC MOSFET部分产品已通过客户验证并实现小规模销售，GaN HEMT部分产品已开发完成并通过可靠性测试。
具体来看，新洁能已开发完成1200V 23mohm-75moh和750V 26mohm SiC MOSFET系列产品，新增产品6款，相关产品处于小规模销售阶段；650V/190mohm E-Mode GaN HEMT产品、650V 460mohm D-Mode GaN HEMT已开发完成，新增产品2款，100V/200V GaN产品正在开发中。
业绩方面，2024年上半年，新洁能实现营收8.73亿元，同比增长15.16%；归母净利润2.18亿元，同比增长47.45%；归母扣非净利润2.14亿元，同比增长55.21%。（集邦化合物半导体Zac整理）
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