近日，化合物半导体产业新增2起合作案例，分别为矽迪半导体&永阳集团战略合作签约、Finwave与GlobalFoundries合作开发用于手机应用的RF GaN-on-Si技术。
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矽迪半导体与永阳集团举行战略合作协议签约仪式
9月3日，据矽迪半导体官微消息，矽迪半导体近日与永阳集团举行了战略合作协议签约仪式，双方将在技术创新、市场拓展及产业链整合等方面进行合作。
资料显示，矽迪半导体成立于2023年2月，致力于功率模块应用解决方案研发与销售，拥有自主知识产权的功率模块应用、仿真、设计、数据管理、项目流管理等于一体的EDA工具，并具备全面的研发能力，包括终端方案、功率模块、芯片研发等，能够为客户提供应用性强、能效高、响应迅速的集成化产品解决方案。
据悉，矽迪半导体的核心业务是功率半导体模块产品，相关产品均采用新型的工艺技术和先进的半导体材料，如碳化硅和氮化镓，以及高功率密度IGBT和FRD等。
矽迪半导体核心产品升压转换器（Boost）采用了IGBT并联碳化硅MOSFET技术，组合转换效率达99%，成本可降低至全碳化硅方案的6成左右。
2023年9月，矽迪半导体完成数千万元天使轮融资，由九合创投领投，融资资金主要用于产品的研发和生产。
作为矽迪半导体战略合作方，永阳集团成立于2004年，是一家致力于为客户提供电子元器件及技术服务的专业公司，主营射频、微波、毫米波器件、高精度射频电缆组件，同轴连接器及消费类电子IC产品，是世界各大射频微波器件厂商在中国市场的授权代理商。
Finwave与GlobalFoundries合作开发手机用RF GaN-on-Si技术
据外媒报道，8月29日，专注于氮化镓技术的Finwave公司宣布已与专业代工厂GlobalFoundries（GF）达成了一项战略技术开发和许可协议。
双方此次合作旨在将Finwave的GaN-on-Si技术与GF在美国的大批量生产能力和在RF方面的持久创新（包括RF绝缘体上硅和硅锗解决方案）相结合。合作的重点将是优化Finwave的增强型（E-mode）MISHEMT技术，并在GlobalFoundries位于佛蒙特州伯灵顿的8英寸半导体制造工厂实现量产。
Finwave的8英寸GaN-on-Si E-mode MISHEMT平台提供了卓越的射频性能以及在低于5V的电压下出色的增益和效率，同时确保8英寸晶圆的高均匀性。
通过利用Finwave的技术，GF的90RFGaN平台将提供高功率密度和高效率，从而实现高性能、优化的设备，节省占用空间和成本。双方此次合作将在传统GaAs和Si技术无法满足的应用中，提供高效功率放大器解决方案，包括新的更高频率的5G FR2/FR3频段、6G和毫米波放大器以及高功率Wi-Fi 7系统，这些应用中卓越的有效传输距离和效率至关重要。
对于此次合作，Finwave首席执行官Pierre-Yves Lesaicherre博士表示，双方合作为射频前端的进一步创新和集成到单一硅基氮化镓设备上打开了大门。这是以前从未做过的，并且有可能降低成本和尺寸，这两者对于手机而言都非常重要。
GF射频业务副总裁兼总经理Shankaran Janardhanan则表示，随着下一代无线网络对设备的运行频率提出了更高的要求，Finwave的低电压硅基氮化镓技术结合GF的90RFGaN平台将成为未来手机中功率放大器的重要组成部分，确保了强大的性能和高功率效率。
基于GF的大批量CMOS制造能力，Finwave和GlobalFoundries的目标是在2026年上半年将这项技术用于大规模生产。
据悉，Finwave的前身是剑桥电子公司，由麻省理工学院的研究人员于2012年创立。2022年7月，Finwave宣布完成1220万美元的A轮融资，这笔资金将用于扩大公司的团队、产品开发活动和实验室设施，推进Finwave采用下一代3D GaN FinFET技术。
3D GaN FinFET技术由Finwave联合创始人Tomas Palacios教授和Bin Lu博士合作研发，能够显著提高5G毫米波系统的线性度、输出功率和效率，同时降低运营商成本。（集邦化合物半导体Zac整理）
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