碳化硅、氮化镓领域新增2起投资

作者 | 发布日期 2024 年 08 月 21 日 17:51 | 分类 功率

8月20日,中国台湾新竹科学园公告了第18次园区审议会核准投资案(竹科)详情。其中,环翔科技股份有限公司(下文简称“环翔科技”)、碳矽电子股份有限公司(下文简称“碳矽电子”)增资议案被批通过,二者分在氮化镓(GaN)/碳化硅(SiC)领域有所布局。

公告显示,环翔科技此次获资金额达1亿新台币(折合人民币约2200万元)。据悉,环翔科技的母公司为环宇通讯半导体控股股份有限公司(GCS Holdings, Inc),其主要产品包括氮化镓功率半导体元件、氮化镓射频半导体元件、体声波滤波器等3大化合物半导体产品应用。

图片来源:拍信网正版图库

产品可以满足资料中心、AI服务器、电动车充电等高压高功率元件,还有5G通讯、民用雷达、低轨卫星等行动通讯功率放大器,以及穿戴式电子装置、智慧自动驾驶等耐受高转换功率、高功率与BAW滤波器的市场需求。

而专注于碳化硅的碳矽电子主要产品包括SiC MOSFET、肖特基二极管及SiC相关技术服务。公司致力SiC功率元件结构的开发,与中国台湾SiC晶圆厂、代工厂紧密合作,提升SiC功率元件性能,使其具备高效能、高温耐受性与长寿命等优势,公司开发设计SiC MOSFET、肖特基二极管,电压规格涵盖650V–3300V。(集邦化合物半导体整理)

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