作为一种新兴的超宽禁带半导体材料，氧化镓具备大禁带宽度（4.8eV）、高临界击穿场强（8MV/cm）和良好的导通特性，与碳化硅和氮化镓相比，氧化镓在大功率和高频率应用中具有优势，且导通电阻更低，损耗更小。
目前，中国、日本、韩国等国的研究机构和团队在氧化镓材料的技术研发和产业化方面都取得了一定的进展。其中，厦门大学的研究团队在氧化镓外延生长技术和日盲光电探测器制备方面取得了重要进展，利用分子束外延技术（MBE）实现了高质量、低缺陷密度的外延薄膜生长，推动了氧化镓薄膜高质量异质外延的发展；中国电科46所通过改进热场结构和晶体生长工艺，成功制备出国内首片高质量氧化镓单晶。
韩国方面，7月22日，韩国化合物半导体公司Siegtronics宣布，其已开发出可应用于高速开关的氧化镓肖特基势垒二极管（SBD）。Siegtronics表示，其通过“开发具有低缺陷特性的高级氧化镓外延材料和击穿电压为1kV或更高的功率器件技术”项目，成功研制出了韩国首个1200V级氧化镓SBD。
日本方面，近日，由日本东北大学孵化的创业公司C&A的社长镰田圭和东北大学材料研究所吉川彰教授领导的团队开发出了不使用贵金属坩埚的新型晶体生长方法——冷坩埚氧化物晶体生长法（Oxide Crystal growth from Cold Crucible method，OCCC），成功地培育出了最大直径约5cm的氧化镓晶体。
source：scientific reports
该项目的研究人员表示，传统的晶体生长方法使用贵金属铱作为盛放坩埚，长晶成本高且制造过程中会产生氧缺陷。而在此次开发中，团队以skull melting method为基础，通过开发C&A公司的独创设备，成功地在不使用贵金属坩埚的情况下生产出了高质量的氧化镓晶体。并且由于这种方法不涉及铱的氧化，因此在生长过程中对气体没有限制，熔体可以在生长气氛中保持任意氧浓度，这有望显著控制生长过程中晶体的氧缺陷。
氧化镓晶体因其优异的电学和光学特性，在电力电子器件、高功率激光器和紫外探测器等领域具有广泛的应用前景。随着各国在氧化镓领域持续取得新进展，氧化镓材料有望加速实现商业应用。（集邦化合物半导体Zac整理）
更多SiC和GaN的市场资讯，请关注微信公众账号：集邦化合物半导体。