7月8日晚间，天岳先进发布公告称，其拟以简易程序向特定对象发行股票，募集资金总额不超过3亿元（含本数），扣除相关发行费用后的募集资金净额将用于投资8英寸车规级SiC衬底制备技术提升项目。
source：天岳先进
定增预案显示，本次项目主要研发方向包括SiC生长热场仿真、SiC单晶应力控制、SiC单晶微缺陷控制、导电型SiC电阻率控制等。
公告显示，天岳先进本次募资的3亿元主要投向建筑工程及安装工程费用及设备购置费。项目建设周期为24个月，包括厂房净化间装修改造、设备采购安装、新技术和工艺试验等三个阶段。
据悉，由6英寸向8英寸升级，是SiC衬底重要的降本路径之一。天岳先进表示，根据测算，单片8英寸SiC衬底的芯片产出量大约是6英寸的2倍，4英寸的4倍，并可部分使用硅基功率芯片产线装备，可大幅降低成本、提高效率。以32mm2面积的裸片（芯片）为例，8英寸SiC衬底上的裸片数量相比6英寸增加近90%，同时边缘裸片数量占比从14%降低至7%，8英寸衬底利用率相比6英寸提升了7%。
近年来，天岳先进持续发力8英寸SiC衬底。2022年，天岳先进通过自主扩径实现了高品质8英寸SiC衬底的制备。随着国际市场对8英寸SiC衬底需求持续增加，其在2023年已经实现8英寸SiC衬底的批量销售。
与此同时，天岳先进不断进行8英寸产品的技术创新，推进包括导电型SiC用粉料高效合成、高质量导电型SiC晶体生长、高效SiC抛光、8英寸宽禁带SiC半导体单晶生长及衬底加工关键技术等研发项目。天岳先进目前以PVT法大规模批量化制备8英寸衬底，是国际上较少掌握了液相法制备技术的企业之一。
项目方面，据上海临港管委会官网信息显示，天岳先进的“碳化硅半导体材料二期（一阶段）项目”的环评信息已于近日公示。
项目概况显示，天岳先进通过利用现有厂区预留区域增加生产设备开展8英寸SiC晶片生产线建设，配套新增公辅设施和环保设施。为满足产品质量需求，将对现有已批项目部分工艺、设备进行改造。（集邦化合物半导体Zac整理）
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