7月5日，据外媒报道，罗姆子公司SiCrystal GmbH将在德国纽伦堡东北部现有厂址的正对面新建一座生产厂房。新厂房将增加6000平方米的生产面积，并将配备最先进的技术，进一步提升SiC衬底的产能。毗邻现有工厂将确保生产流程的紧密结合。到2027年，包括现有厂房在内，SiCrystal公司SiC衬底的总产能将比2024年增加约三倍。
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据悉，SiCrystal成立于1996年，1997年其第一批晶圆投入市场。2000年，SiCrystal与西门子旗下的SiC供应商Freitronics Wafer GmbH&Co.KG合并。2009年，SiCrystal被罗姆正式收购。
SiC衬底产能方面，罗姆半导体株式会社社长松本功在2023年11月的财报电话会议上宣布，将在位于日本宫崎县的第二家工厂生产8英寸SiC衬底，主要供该公司内部使用，预计将于2024年开始投产。这将是罗姆首次在日本生产SiC衬底。
据了解，宫崎第二工厂规划项目是罗姆近几年产能扩张计划的一部分，罗姆计划在2021-2025年为SiC业务投入1700亿-2200亿日元（折合人民币约77亿元-100亿元）。
合作方面， SiCrystal当前的产能除了满足罗姆的需求之外，今年4月还宣布与意法半导体在现有的6英寸SiC衬底多年期供货协议基础上，继续扩大合作。根据新签署的长期供货协议，SiCrystal公司将对意法半导体加大德国纽伦堡产的SiC衬底供应力度，预计协议总价不低于2.3亿美元。（集邦化合物半导体Zac整理）
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