6月28日，据“安吉发布”官微消息，在“源起黄浦江 潮涌向未来”安吉（上海）推介会上，35个项目集体签约，包括年产1600吨碳化硅衬底材料项目、高性能新能源电池覆膜材料产业园项目、云上龙王山·高山全季文旅度假综合体项目等。
其中，年产1600吨碳化硅衬底材料项目签约方为苏州冠岚新材料有限公司（以下简称冠岚新材料）。
source：安吉发布
资料显示，冠岚新材料成立于2021年9月，主要产品为大尺寸、高纯度、低成本第三代半导体SiC原材料、SiC镀膜，目前国产化原材料产品已验证完成，获国内外多家客户认证。冠岚新材料采用独有的升级的化学气相沉积的原材料技术，生产出的晶棒较厚、成本较低、纯度较高。
2023年12月，冠岚新材料完成A轮融资，投资方包括万安投资、国升基金、隆晟基业。
值得一提的是，近期还有另外一个SiC项目签约落地安吉县所在的浙江湖州市。5月9日，据“南太湖发布”官微披露，浙江湖州南太湖新区管理委员会和安徽源芯微电子有限责任公司（以下简称源芯微电子）举行源芯微电子年产20亿只车规级芯片智造项目签约仪式。
据悉，此次签约落地的年产20亿只车规级芯片智造基地和SiC车规级芯片研究院项目总投资10亿元，分两期建设，全部达产后年产值约18亿元。
此外，东尼电子2021年非公开发行募投项目“年产12万片碳化硅半导体材料”的实施地点位于湖州市吴兴区织里镇。该项目总投资4.69亿，由子公司东尼半导体负责建设。这一项目已于2023年上半年实施完毕。
今年3月18日，湖州市生态环境局公示了对东尼电子扩建SiC项目的环评文件审批意见。根据公告内容，东尼半导体计划利用东尼五期厂区厂房，实施扩建年产20万片6英寸SiC衬底材料项目。（集邦化合物半导体Zac整理）
更多SiC和GaN的市场资讯，请关注微信公众账号：集邦化合物半导体。