6月28日，据苏州纳米城官微消息，杭州镓仁半导体有限公司（以下简称镓仁半导体）近日与苏州迈姆思半导体科技有限公司（以下简称迈姆思）于杭州签订战略合作协议。双方将在先进半导体氧化镓晶圆键合领域展开深度合作。
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据悉，迈姆思将与镓仁半导体协作实现SiC和氧化镓的键合，用SiC出色的散热性能来弥补氧化镓散热性能的不足，同时通过氧化镓和硅的键合，大幅度降低成本，推动氧化镓作为功率器件的量产化。
据了解，本次合作是将第三代半导体材料与第四代半导体材料进行融合研发的战略合作。
官网资料显示，镓仁半导体成立于2022年9月，是一家专注于超宽禁带半导体材料氧化镓研发、生产和销售的厂商。
技术研发方面，镓仁半导体开创了氧化镓单晶生长新技术，拥有国际、国内发明专利十余项，突破了美国、德国、日本等西方国家在氧化镓衬底材料上的垄断和封锁。
产品方面，镓仁半导体产品包括不同尺寸、晶向和电阻率的氧化镓抛光片，可定制的氧化镓籽晶等，主要应用于面向国家电网、新能源汽车、轨道交通、5G通信等领域的电力电子器件。目前，镓仁半导体已掌握从设备开发、热场设计、晶体生长、晶体加工等全链条的核心技术，可提供完全具有自主知识产权的氧化镓衬底。
今年4月9日，镓仁半导体宣布正式推出2英寸晶圆级（010）氧化镓单晶衬底。镓仁半导体指出，在氧化镓单晶衬底常见的主流晶面中，（010）衬底在物理特性和外延方面具有出色的表现：（010）衬底热导率较高，有利于提升功率器件性能；（010）衬底还具有较快的外延生长速率。
迈姆思则于2022年在苏州工业园区建立公司总部作为生产中心，用于大规模量产SOI晶圆和开发新的晶圆材料。迈姆思在国外已经研究开发SOI晶圆材料超过15年，并在技术上取得了实质性进展，填补了国内在SOI加工领域高级工艺技术的空白。（集邦化合物半导体Zac整理）
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